Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
Anodic-oxide-induced interdiff...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
Anodic-oxide-induced interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells
Opis bibliograficzny
Główni autorzy:
Yuan, S
,
Kim, Y
,
Tan, H
,
Jagadish, C
,
Burke, P
,
Dao, L
,
Gal, M
,
Chan, M
,
Li, E
,
Zou, J
,
Cai, D
,
Cockayne, D
,
Cohen, R
Format:
Journal article
Wydane:
1998
Egzemplarz
Opis
Podobne zapisy
Wersja MARC
Podobne zapisy
Novel impurity-free interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells by anodization and rapid thermal annealing
od: Yuan, S, i wsp.
Wydane: (1997)
Effects of interdiffusion on the luminescence of InGaAs/GaAs quantum dots
od: Leon, R, i wsp.
Wydane: (1996)
TEM study of compositional profile in AlGaAs/GaAs quantum wells
od: Zou, J, i wsp.
Wydane: (1998)
V-grooved GaAs/AlGaAs quantum wires with side wall quantum wells intermixed by pulsed anodization and rapid thermal annealing
od: Kim, Y, i wsp.
Wydane: (1996)
Interdiffusion in narrow InGaAsN∕GaAs quantum wells
od: Liu, W., i wsp.
Wydane: (2013)