Ionization of Rydberg H2 molecules at doped silicon surfaces.
The present study focuses on the interaction of H2 Rydberg molecules with doped silicon semiconductor surfaces. Para-H2 Rydberg states with principal quantum numbers n = 17-21 and core rotational quantum number N(+) = 2 are populated via resonant two-colour two-photon (vacuum ultraviolet-ultraviolet...
Հիմնական հեղինակներ: | Sashikesh, G, Ford, MS, Softley, T |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
2013
|
Նմանատիպ նյութեր
-
Surface ionisation of molecular H-2 and atomic H Rydberg states at doped silicon surfaces
: Sashikesh, G, և այլն
Հրապարակվել է: (2014) -
Surface ionisation of molecular H2 and atomic H Rydberg states at doped silicon surfaces
: Sashikesh, G, և այլն
Հրապարակվել է: (2014) -
Detection of electrons in the surface ionization of H Rydberg atoms and H-2 Rydberg molecules
: McCormack, E, և այլն
Հրապարակվել է: (2012) -
Detection of electrons in the surface ionization of H Rydberg atoms and H-2 Rydberg molecules
: McCormack, E, և այլն
Հրապարակվել է: (2012) -
Level crossings in the ionization of H(2) Rydberg molecules at a metal surface.
: McCormack, E, և այլն
Հրապարակվել է: (2010)