تخطي إلى المحتوى
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
اللغة
كل الحقول
العنوان
المؤلف
الموضوع
رقم الاستدعاء
ردمك/تدمد
الوسم
ابحث
بحث متقدم
Investigation of threading dis...
استشهد بهذا
أرسل هذا في رسالة قصيرة
أرسل هذا بالبريد الإلكتروني
طباعة
تصدير التسجيلة
تصدير إلى RefWorks
تصدير إلى EndNoteWeb
تصدير إلى EndNote
رابط دائم
Investigation of threading dislocation blocking in strained-layer InGaAs/GaAs heterostructures using scanning cathodoluminescence microscopy
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:
Russell, J
,
Zou, J
,
Moon, A
,
Cockayne, D
التنسيق:
Journal article
منشور في:
2000
المقتنيات
الوصف
مواد مشابهة
عرض للأخصائي
الوصف
الملخص:
مواد مشابهة
Cathodoluminescence study of oval defects in MBE grown InGaAs/GaAs
حسب: RussellHarriott, J, وآخرون
منشور في: (1996)
Investigation of oval defects in InGaAs/GaAs strained-layer heterostructures using cathodoluminescence and wavelength dispersive spectroscopy
حسب: Russell-Harriott, J, وآخرون
منشور في: (1998)
Oval defects in InGaAs/GaAs heterostructures
حسب: Russell-Harriott, J, وآخرون
منشور في: (1998)
Estimation of the MQW InGaAs/GaAs heterostructures stability to the formation of misfit dislocations
حسب: A. A. Maldzhy, وآخرون
منشور في: (2006-12-01)
Misfit dislocations generated from inhomogeneous sources and their critical thicknesses in a InGaAs/GaAs heterostructure grown by molecular beam epitaxy
حسب: Zou, J, وآخرون
منشور في: (1997)