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Investigation of threading dis...
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Investigation of threading dislocation blocking in strained-layer InGaAs/GaAs heterostructures using scanning cathodoluminescence microscopy
Detalles Bibliográficos
Autores principales:
Russell, J
,
Zou, J
,
Moon, A
,
Cockayne, D
Formato:
Journal article
Publicado:
2000
Existencias
Descripción
Ejemplares similares
Vista Equipo
Descripción
Sumario:
Ejemplares similares
Cathodoluminescence study of oval defects in MBE grown InGaAs/GaAs
por: RussellHarriott, J, et al.
Publicado: (1996)
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por: Russell-Harriott, J, et al.
Publicado: (1998)
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por: Russell-Harriott, J, et al.
Publicado: (1998)
Estimation of the MQW InGaAs/GaAs heterostructures stability to the formation of misfit dislocations
por: A. A. Maldzhy, et al.
Publicado: (2006-12-01)
Misfit dislocations generated from inhomogeneous sources and their critical thicknesses in a InGaAs/GaAs heterostructure grown by molecular beam epitaxy
por: Zou, J, et al.
Publicado: (1997)