Անցեք բովանդակությանը
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Լեզու
Բոլոր դաշտերը
Վերնագիր
Հեղինակ
Խորագիր
Դասիչ
ISBN/ISSN
Ցուցիչ
Գտեք
Ընդլայնված
Investigation of threading dis...
Վկայակոչեք սա
Գրեք սա
Էլփոստով ուղարկեք սա
Տպել
Արտահանել գրառումը
Արտահանել դեպի RefWorks
Արտահանել դեպի EndNoteWeb
Արտահանել դեպի EndNote
Մշտական հղում
Investigation of threading dislocation blocking in strained-layer InGaAs/GaAs heterostructures using scanning cathodoluminescence microscopy
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:
Russell, J
,
Zou, J
,
Moon, A
,
Cockayne, D
Ձևաչափ:
Journal article
Հրապարակվել է:
2000
Պահումներ
Նկարագրություն
Նմանատիպ նյութեր
Աշխատակազմի տեսք
Նկարագրություն
Ամփոփում:
Նմանատիպ նյութեր
Cathodoluminescence study of oval defects in MBE grown InGaAs/GaAs
: RussellHarriott, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1996)
Investigation of oval defects in InGaAs/GaAs strained-layer heterostructures using cathodoluminescence and wavelength dispersive spectroscopy
: Russell-Harriott, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1998)
Oval defects in InGaAs/GaAs heterostructures
: Russell-Harriott, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1998)
Estimation of the MQW InGaAs/GaAs heterostructures stability to the formation of misfit dislocations
: A. A. Maldzhy, և այլն
Հրապարակվել է: (2006-12-01)
Misfit dislocations generated from inhomogeneous sources and their critical thicknesses in a InGaAs/GaAs heterostructure grown by molecular beam epitaxy
: Zou, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1997)