Chuyển đến nội dung
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Ngôn ngữ
Tất cả các trường
Tiêu đề
Tác giả
Chủ đề
Số hiệu
số ISBN/ISSN
Nhãn
Tìm kiếm
Nâng cao
Investigation of threading dis...
Trích dẫn điều này
Văn bản này
Email này
In
Xuất bản ghi
Xuất tới RefWorks
Xuất tới EndNoteWeb
Xuất tới EndNote
Liên kết dài hạn
Investigation of threading dislocation blocking in strained-layer InGaAs/GaAs heterostructures using scanning cathodoluminescence microscopy
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:
Russell, J
,
Zou, J
,
Moon, A
,
Cockayne, D
Định dạng:
Journal article
Được phát hành:
2000
Đang giữ
Miêu tả
Những quyển sách tương tự
Chế độ xem nhân viên
Miêu tả
Tóm tắt:
Những quyển sách tương tự
Cathodoluminescence study of oval defects in MBE grown InGaAs/GaAs
Bằng: RussellHarriott, J, et al.
Được phát hành: (1996)
Investigation of oval defects in InGaAs/GaAs strained-layer heterostructures using cathodoluminescence and wavelength dispersive spectroscopy
Bằng: Russell-Harriott, J, et al.
Được phát hành: (1998)
Oval defects in InGaAs/GaAs heterostructures
Bằng: Russell-Harriott, J, et al.
Được phát hành: (1998)
Estimation of the MQW InGaAs/GaAs heterostructures stability to the formation of misfit dislocations
Bằng: A. A. Maldzhy, et al.
Được phát hành: (2006-12-01)
Misfit dislocations generated from inhomogeneous sources and their critical thicknesses in a InGaAs/GaAs heterostructure grown by molecular beam epitaxy
Bằng: Zou, J, et al.
Được phát hành: (1997)