Investigation of threading dislocation blocking in strained-layer InGaAs/GaAs heterostructures using scanning cathodoluminescence microscopy

Investigation of threading dislocation blocking in strained-layer InGaAs/GaAs heterostructures using scanning cathodoluminescence microscopy

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Russell, J, Zou, J, Moon, A, Cockayne, D
التنسيق:	Journal article
منشور في:	2000

مواد مشابهة

Cathodoluminescence study of oval defects in MBE grown InGaAs/GaAs
حسب: RussellHarriott, J, وآخرون
منشور في: (1996)

Investigation of oval defects in InGaAs/GaAs strained-layer heterostructures using cathodoluminescence and wavelength dispersive spectroscopy
حسب: Russell-Harriott, J, وآخرون
منشور في: (1998)

Oval defects in InGaAs/GaAs heterostructures
حسب: Russell-Harriott, J, وآخرون
منشور في: (1998)

Estimation of the MQW InGaAs/GaAs heterostructures stability to the formation of misfit dislocations
حسب: A. A. Maldzhy, وآخرون
منشور في: (2006-12-01)

Misfit dislocations generated from inhomogeneous sources and their critical thicknesses in a InGaAs/GaAs heterostructure grown by molecular beam epitaxy
حسب: Zou, J, وآخرون
منشور في: (1997)

MISFIT DISLOCATIONS AND CRITICAL THICKNESS IN INGAAS/GAAS HETEROSTRUCTURE SYSTEMS
حسب: Zou, J, وآخرون
منشور في: (1993)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
حسب: S.A. Iliash
منشور في: (2016-04-01)

Transmission electron microscopy study of InGaAs/GaAs structural evolution near the Stranski-Krastanow transformation
حسب: Wellman, J, وآخرون
منشور في: (1999)

Structural evolution and the role of dislocations in InGaAs island formation on GaAs (110) and (111)B surfaces
حسب: Lobo, C, وآخرون
منشور في: (1998)

Effects of interdiffusion on the luminescence of InGaAs/GaAs quantum dots
حسب: Leon, R, وآخرون
منشور في: (1996)

Adatom condensation and quantum dot sizes in InGaAs/GaAs (001)
حسب: Leon, R, وآخرون
منشور في: (2000)

Lomer-Cottrell misfit dislocations in [001]In0.2Ga0.8As/GaAs single heterostructures
حسب: Zou, J, وآخرون
منشور في: (1996)

Inhomogeneous sources of misfit dislocation generation in InxGa1-xAs/GaAs strained-layer heterostructures grown by molecular beam epitaxy
حسب: Zou, J, وآخرون
منشور في: (1997)

Temperature-dependent generation of misfit dislocations in In0.2Ga0.8As/GaAs single heterostructures
حسب: Zou, J, وآخرون
منشور في: (1996)

Stable and metastable InGaAs/GaAs island shapes and surfactantlike suppression of the wetting transformation
حسب: Leon, R, وآخرون
منشور في: (1998)

On-zone axis electron diffraction contrast study of the size of InGaAs/GaAs quantum dots
حسب: Liao, X, وآخرون
منشور في: (1998)

Island shape instabilities and surfactant-like effects in the growth of InGaAs/GaAs quantum dots
حسب: Leon, R, وآخرون
منشور في: (1999)

Cathodoluminescence of Ultrathin InAs Layers Embedded in GaAs Matrix
حسب: Qigeng Yan, وآخرون
منشور في: (2022-08-01)

On the Reliability of Accelerated Testing in AIGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs
حسب: K. F. Yarn, وآخرون
منشور في: (2002-01-01)

Multilayers of InGaAs Nanostructures Grown on GaAs(210) Substrates
حسب: Wang Zhiming, وآخرون
منشور في: (2010-01-01)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs nanowires for optoelectronic device applications
حسب: Joyce, H, وآخرون
منشور في: (2011)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs Nanowires for Optoelectronic Device Applications
حسب: Joyce, H, وآخرون
منشور في: (2011)

MISFIT DISLOCATIONS LYING ALONG (100) IN [001] GAAS/IN0.25GA0.75AS/GAAS QUANTUM-WELL HETEROSTRUCTURES
حسب: Zou, J, وآخرون
منشور في: (1994)

EQUILIBRIUM DISSOCIATION CONFIGURATION OF MISFIT DISLOCATIONS IN LOW STRAINED IN0.1GA0.9AS/GAAS SINGLE HETEROSTRUCTURES
حسب: Zou, J, وآخرون
منشور في: (1993)

Atomic-column scanning transmission electron microscopy analysis of misfit dislocations in GaSb/ GaAs quantum dots
حسب: Delgado, N. Fernandez, وآخرون
منشور في: (2016)

Improved carrier collection in intermixed InGaAs/GaAs quantum wells
حسب: Dao, L, وآخرون
منشور في: (1998)

Growth of GaAs/AlGaAs quantum well lasers and GaAs/InGaAs vertical cavity surface emitting lasers by MBE
حسب: Li, Chaoyong.
منشور في: (2009)

THE GEOMETRY OF MISFIT DISLOCATIONS WITH RESPECT TO THE STRAINED INTERFACE IN [001] IN0.1GA0.9AS/GAAS SINGLE HETEROSTRUCTURES
حسب: Zou, J, وآخرون
منشور في: (1994)

A New AlGaAs/GaAs/InGaAs Lasing Switch Grown by MBE
حسب: Ming Rong Lee, وآخرون
منشور في: (2001-01-01)

Nature of heterointerfaces in GaAs/InAs and InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
حسب: Paladugu, M, وآخرون
منشور في: (2008)

Enhancement of Single-Photon Emission Rate from InGaAs/GaAs Quantum-Dot/Nanowire Heterostructure by Wire-Groove Nanocavity
حسب: Wei Wei, وآخرون
منشور في: (2019-05-01)

Magneto-photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum wells and quantum dots grown on (111)B GaAs substrate
حسب: Tyan, S, وآخرون
منشور في: (2000)

InGaAs/GaAs quantum wells and quantum dots on (111)B orientation
حسب: Tyan, S, وآخرون
منشور في: (2001)

The Effects of Interdot Spacing and Dot Size on the Performance of InGaAs/GaAs QDIBSC
حسب: Sayeda Anika Amin, وآخرون
منشور في: (2017-01-01)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
حسب: Joyce, H, وآخرون
منشور في: (2007)

31% European InGaP/GaAs/InGaAs Solar Cells for Space Application
حسب: Campesato Roberta, وآخرون
منشور في: (2017-01-01)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
حسب: M.M. Vinoslavskii, وآخرون
منشور في: (2018-10-01)

High-performance 1.06-μm InGaAs/GaAs double-quantum-well semiconductor lasers with asymmetric heterostructure layers
حسب: Qiao, Zhongliang, وآخرون
منشور في: (2021)

Bipolar Effects in Photovoltage of Metamorphic InAs/InGaAs/GaAs Quantum Dot Heterostructures: Characterization and Design Solutions for Light-Sensitive Devices
حسب: Sergii Golovynskyi, وآخرون
منشور في: (2017-10-01)

Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by MOVPE
حسب: Maxim A. Ladugin, وآخرون
منشور في: (2019-06-01)