Investigation of threading dislocation blocking in strained-layer InGaAs/GaAs heterostructures using scanning cathodoluminescence microscopy
Հիմնական հեղինակներ: | Russell, J, Zou, J, Moon, A, Cockayne, D |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Հրապարակվել է: |
2000
|
Նմանատիպ նյութեր
-
Cathodoluminescence study of oval defects in MBE grown InGaAs/GaAs
: RussellHarriott, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1996) -
Investigation of oval defects in InGaAs/GaAs strained-layer heterostructures using cathodoluminescence and wavelength dispersive spectroscopy
: Russell-Harriott, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1998) -
Oval defects in InGaAs/GaAs heterostructures
: Russell-Harriott, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1998) -
Estimation of the MQW InGaAs/GaAs heterostructures stability to the formation of misfit dislocations
: A. A. Maldzhy, և այլն
Հրապարակվել է: (2006-12-01) -
Misfit dislocations generated from inhomogeneous sources and their critical thicknesses in a InGaAs/GaAs heterostructure grown by molecular beam epitaxy
: Zou, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1997)