Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
Investigation of threading dis...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
Investigation of threading dislocation blocking in strained-layer InGaAs/GaAs heterostructures using scanning cathodoluminescence microscopy
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
Russell, J
,
Zou, J
,
Moon, A
,
Cockayne, D
Médium:
Journal article
Vydáno:
2000
Jednotky
Popis
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Podobné jednotky
Cathodoluminescence study of oval defects in MBE grown InGaAs/GaAs
Autor: RussellHarriott, J, a další
Vydáno: (1996)
Investigation of oval defects in InGaAs/GaAs strained-layer heterostructures using cathodoluminescence and wavelength dispersive spectroscopy
Autor: Russell-Harriott, J, a další
Vydáno: (1998)
Oval defects in InGaAs/GaAs heterostructures
Autor: Russell-Harriott, J, a další
Vydáno: (1998)
Estimation of the MQW InGaAs/GaAs heterostructures stability to the formation of misfit dislocations
Autor: A. A. Maldzhy, a další
Vydáno: (2006-12-01)
Misfit dislocations generated from inhomogeneous sources and their critical thicknesses in a InGaAs/GaAs heterostructure grown by molecular beam epitaxy
Autor: Zou, J, a další
Vydáno: (1997)