Перейти до змісту
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Мова
Всі поля
Назва
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Тег
Знайти
Розширений
Chemical etching to dissolve d...
Цитувати
Відправити по sms
Відправити е-поштою
Друк
Експортувати запис
Екпортувати в RefWorks
Екпортувати в EndNoteWeb
Екпортувати в EndNote
Постійне посилання
Chemical etching to dissolve dislocation cores in multicrystalline silicon
Показати інші версії (1)
Бібліографічні деталі
Автори:
Gregori, N
,
Murphy, J
,
Sykes, J
,
Wilshaw, P
Формат:
Journal article
Опубліковано:
2012
Примірники
Опис
Інші версії (1)
Схожі ресурси
Службовий вигляд
Опис
Резюме:
Схожі ресурси
Chemical etching to dissolve dislocation cores in multicrystalline silicon
за авторством: Gregori, N, та інші
Опубліковано: (2012)
Removal of dislocation cores from multicrystalline silicon by etching
за авторством: Gregori, N
Опубліковано: (2011)
Guidelines for establishing an etching procedure for dislocation density measurements on multicrystalline silicon samples
за авторством: Krzysztof Adamczyk, та інші
Опубліковано: (2018-01-01)
Determination of Grain Orientations in Multicrystalline Silicon by Reflectometry
за авторством: Wang, Y, та інші
Опубліковано: (2010)
Dislocation density reduction in multicrystalline silicon through cyclic annealing
за авторством: Vogl, Michelle (Michelle Lynn)
Опубліковано: (2012)