Chemical etching to dissolve dislocation cores in multicrystalline silicon

Chemical etching to dissolve dislocation cores in multicrystalline silicon

Show other versions (1)

מידע ביבליוגרפי
Main Authors:	Gregori, N, Murphy, J, Sykes, J, Wilshaw, P
פורמט:	Journal article
יצא לאור:	2012

פריטים דומים

Chemical etching to dissolve dislocation cores in multicrystalline silicon
מאת: Gregori, N, et al.
יצא לאור: (2012)

Removal of dislocation cores from multicrystalline silicon by etching
מאת: Gregori, N
יצא לאור: (2011)

Guidelines for establishing an etching procedure for dislocation density measurements on multicrystalline silicon samples
מאת: Krzysztof Adamczyk, et al.
יצא לאור: (2018-01-01)

Determination of Grain Orientations in Multicrystalline Silicon by Reflectometry
מאת: Wang, Y, et al.
יצא לאור: (2010)

Dislocation density reduction in multicrystalline silicon through cyclic annealing
מאת: Vogl, Michelle (Michelle Lynn)
יצא לאור: (2012)

Direct observation of hydrogen at defects in multicrystalline silicon
מאת: Tweddle, D, et al.
יצא לאור: (2019)

Stress and temperature coupling effects on dislocation density reduction in multicrystalline silicon
מאת: Castellanos, Sergio, et al.
יצא לאור: (2013)

Specimen preparation methods for elemental characterisation of grain boundaries and isolated dislocations in multicrystalline silicon using atom probe tomography
מאת: Lotharukpong, C, et al.
יצא לאור: (2017)

Study of Dislocations in the Minicrystallized Regions in Multicrystalline Silicon Grown by the Directional Solidification Method
מאת: Nan Chen, et al.
יצא לאור: (2016-10-01)

17.6% Conversion Efficiency Multicrystalline Silicon Solar Cells Using the Reactive Ion Etching with the Damage Removal Etching
מאת: Ji-Myung Shim, et al.
יצא לאור: (2012-01-01)

Atom probe Tomography of fast-diffusing impurities and the effect of gettering in multicrystalline silicon
מאת: Tweddle, D, et al.
יצא לאור: (2018)

Numerical Analysis of the Dislocation Density in Multicrystalline Silicon for Solar Cells by the Vertical Bridgman Process
מאת: Makoto Inoue, et al.
יצא לאור: (2013-01-01)

High-Efficiency 6′′ Multicrystalline Black Solar Cells Based on Metal-Nanoparticle-Assisted Chemical Etching
מאת: Hsu, W. Chuck, et al.
יצא לאור: (2012)

High-Efficiency 6′′ Multicrystalline Black Solar Cells Based on Metal-Nanoparticle-Assisted Chemical Etching
מאת: W. Chuck Hsu, et al.
יצא לאור: (2012-01-01)

Impurity locking of dislocations in silicon
מאת: Giannattasio, A, et al.
יצא לאור: (2004)

Texturization of multicrystalline silicon solar cells
מאת: Li, Dai-Yin
יצא לאור: (2011)

3D CNN and grad-CAM based visualization for predicting generation of dislocation clusters in multicrystalline silicon
מאת: Kyoka Hara, et al.
יצא לאור: (2023-09-01)

Reduction of Oxygen Impurity in Multicrystalline Silicon Production
מאת: Bing Gao, et al.
יצא לאור: (2013-01-01)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1989)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1989)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
מאת: Alpass, C, et al.
יצא לאור: (2009)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2006)

Porous silicon and aluminum co-gettering experiment in p-type multicrystalline silicon substrate
מאת: P.N. Vinod
יצא לאור: (2007-01-01)

Delineation of Crystalline Extended Defects on Multicrystalline Silicon Wafers
מאת: Mohamed Fathi
יצא לאור: (2007-01-01)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
מאת: Fell, T, et al.
יצא לאור: (1989)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
מאת: Fell, T, et al.
יצא לאור: (1989)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
מאת: Alpass, C, et al.
יצא לאור: (2009)

An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1984)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
מאת: Giannattasio, A, et al.
יצא לאור: (2005)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
מאת: Alpass, C, et al.
יצא לאור: (2009)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2005)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1989)

Modelling of Light Trapping in Acidic-Textured Multicrystalline Silicon Wafers
מאת: Yang Li, et al.
יצא לאור: (2012-01-01)

Electrophoretic Deposited Quartz Powder-Assisted Growth of Multicrystalline Silicon
מאת: Xiang Quan, et al.
יצא לאור: (2022-04-01)

Dynamics at crystal/melt interface during solidification of multicrystalline silicon
מאת: Fujiwara Kozo, et al.
יצא לאור: (2022-02-01)

Measurements of Dislocation Locking by Near-Surface Ion-Implanted Nitrogen in Czochralski Silicon
מאת: Alpass, C, et al.
יצא לאור: (2009)

Measurements of dislocation locking by near-surface ion-implanted nitrogen in Czochralski silicon
מאת: Alpass, C, et al.
יצא לאור: (2008)

Effect of Temperature and Humidity on the Degradation Rate of Multicrystalline Silicon Photovoltaic Module
מאת: N. C. Park, et al.
יצא לאור: (2013-01-01)