Chemical etching to dissolve dislocation cores in multicrystalline silicon

Chemical etching to dissolve dislocation cores in multicrystalline silicon

Показати інші версії (1)

Бібліографічні деталі
Автори:	Gregori, N, Murphy, J, Sykes, J, Wilshaw, P
Формат:	Journal article
Опубліковано:	2012

Схожі ресурси

Chemical etching to dissolve dislocation cores in multicrystalline silicon
за авторством: Gregori, N, та інші
Опубліковано: (2012)

Removal of dislocation cores from multicrystalline silicon by etching
за авторством: Gregori, N
Опубліковано: (2011)

Guidelines for establishing an etching procedure for dislocation density measurements on multicrystalline silicon samples
за авторством: Krzysztof Adamczyk, та інші
Опубліковано: (2018-01-01)

Determination of Grain Orientations in Multicrystalline Silicon by Reflectometry
за авторством: Wang, Y, та інші
Опубліковано: (2010)

Dislocation density reduction in multicrystalline silicon through cyclic annealing
за авторством: Vogl, Michelle (Michelle Lynn)
Опубліковано: (2012)

Direct observation of hydrogen at defects in multicrystalline silicon
за авторством: Tweddle, D, та інші
Опубліковано: (2019)

Stress and temperature coupling effects on dislocation density reduction in multicrystalline silicon
за авторством: Castellanos, Sergio, та інші
Опубліковано: (2013)

Specimen preparation methods for elemental characterisation of grain boundaries and isolated dislocations in multicrystalline silicon using atom probe tomography
за авторством: Lotharukpong, C, та інші
Опубліковано: (2017)

Study of Dislocations in the Minicrystallized Regions in Multicrystalline Silicon Grown by the Directional Solidification Method
за авторством: Nan Chen, та інші
Опубліковано: (2016-10-01)

17.6% Conversion Efficiency Multicrystalline Silicon Solar Cells Using the Reactive Ion Etching with the Damage Removal Etching
за авторством: Ji-Myung Shim, та інші
Опубліковано: (2012-01-01)

Atom probe Tomography of fast-diffusing impurities and the effect of gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Tweddle, D, та інші
Опубліковано: (2018)

Numerical Analysis of the Dislocation Density in Multicrystalline Silicon for Solar Cells by the Vertical Bridgman Process
за авторством: Makoto Inoue, та інші
Опубліковано: (2013-01-01)

High-Efficiency 6′′ Multicrystalline Black Solar Cells Based on Metal-Nanoparticle-Assisted Chemical Etching
за авторством: Hsu, W. Chuck, та інші
Опубліковано: (2012)

High-Efficiency 6′′ Multicrystalline Black Solar Cells Based on Metal-Nanoparticle-Assisted Chemical Etching
за авторством: W. Chuck Hsu, та інші
Опубліковано: (2012-01-01)

Impurity locking of dislocations in silicon
за авторством: Giannattasio, A, та інші
Опубліковано: (2004)

Texturization of multicrystalline silicon solar cells
за авторством: Li, Dai-Yin
Опубліковано: (2011)

3D CNN and grad-CAM based visualization for predicting generation of dislocation clusters in multicrystalline silicon
за авторством: Kyoka Hara, та інші
Опубліковано: (2023-09-01)

Reduction of Oxygen Impurity in Multicrystalline Silicon Production
за авторством: Bing Gao, та інші
Опубліковано: (2013-01-01)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1989)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1989)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
за авторством: Alpass, C, та інші
Опубліковано: (2009)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2006)

Porous silicon and aluminum co-gettering experiment in p-type multicrystalline silicon substrate
за авторством: P.N. Vinod
Опубліковано: (2007-01-01)

Delineation of Crystalline Extended Defects on Multicrystalline Silicon Wafers
за авторством: Mohamed Fathi
Опубліковано: (2007-01-01)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1989)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1989)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
за авторством: Alpass, C, та інші
Опубліковано: (2009)

An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1984)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
за авторством: Giannattasio, A, та інші
Опубліковано: (2005)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
за авторством: Alpass, C, та інші
Опубліковано: (2009)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2005)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1989)

Modelling of Light Trapping in Acidic-Textured Multicrystalline Silicon Wafers
за авторством: Yang Li, та інші
Опубліковано: (2012-01-01)

Electrophoretic Deposited Quartz Powder-Assisted Growth of Multicrystalline Silicon
за авторством: Xiang Quan, та інші
Опубліковано: (2022-04-01)

Dynamics at crystal/melt interface during solidification of multicrystalline silicon
за авторством: Fujiwara Kozo, та інші
Опубліковано: (2022-02-01)

Measurements of Dislocation Locking by Near-Surface Ion-Implanted Nitrogen in Czochralski Silicon
за авторством: Alpass, C, та інші
Опубліковано: (2009)

Measurements of dislocation locking by near-surface ion-implanted nitrogen in Czochralski silicon
за авторством: Alpass, C, та інші
Опубліковано: (2008)

Effect of Temperature and Humidity on the Degradation Rate of Multicrystalline Silicon Photovoltaic Module
за авторством: N. C. Park, та інші
Опубліковано: (2013-01-01)