Chemical etching to dissolve dislocation cores in multicrystalline silicon

Chemical etching to dissolve dislocation cores in multicrystalline silicon

Hiển thị phiên bản (1) khác

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Gregori, N, Murphy, J, Sykes, J, Wilshaw, P
Định dạng:	Journal article
Được phát hành:	2012

Những quyển sách tương tự

Chemical etching to dissolve dislocation cores in multicrystalline silicon
Bằng: Gregori, N, et al.
Được phát hành: (2012)

Removal of dislocation cores from multicrystalline silicon by etching
Bằng: Gregori, N
Được phát hành: (2011)

Guidelines for establishing an etching procedure for dislocation density measurements on multicrystalline silicon samples
Bằng: Krzysztof Adamczyk, et al.
Được phát hành: (2018-01-01)

Determination of Grain Orientations in Multicrystalline Silicon by Reflectometry
Bằng: Wang, Y, et al.
Được phát hành: (2010)

Dislocation density reduction in multicrystalline silicon through cyclic annealing
Bằng: Vogl, Michelle (Michelle Lynn)
Được phát hành: (2012)

Direct observation of hydrogen at defects in multicrystalline silicon
Bằng: Tweddle, D, et al.
Được phát hành: (2019)

Stress and temperature coupling effects on dislocation density reduction in multicrystalline silicon
Bằng: Castellanos, Sergio, et al.
Được phát hành: (2013)

Specimen preparation methods for elemental characterisation of grain boundaries and isolated dislocations in multicrystalline silicon using atom probe tomography
Bằng: Lotharukpong, C, et al.
Được phát hành: (2017)

Study of Dislocations in the Minicrystallized Regions in Multicrystalline Silicon Grown by the Directional Solidification Method
Bằng: Nan Chen, et al.
Được phát hành: (2016-10-01)

17.6% Conversion Efficiency Multicrystalline Silicon Solar Cells Using the Reactive Ion Etching with the Damage Removal Etching
Bằng: Ji-Myung Shim, et al.
Được phát hành: (2012-01-01)

Atom probe Tomography of fast-diffusing impurities and the effect of gettering in multicrystalline silicon
Bằng: Tweddle, D, et al.
Được phát hành: (2018)

Numerical Analysis of the Dislocation Density in Multicrystalline Silicon for Solar Cells by the Vertical Bridgman Process
Bằng: Makoto Inoue, et al.
Được phát hành: (2013-01-01)

High-Efficiency 6′′ Multicrystalline Black Solar Cells Based on Metal-Nanoparticle-Assisted Chemical Etching
Bằng: Hsu, W. Chuck, et al.
Được phát hành: (2012)

High-Efficiency 6′′ Multicrystalline Black Solar Cells Based on Metal-Nanoparticle-Assisted Chemical Etching
Bằng: W. Chuck Hsu, et al.
Được phát hành: (2012-01-01)

Impurity locking of dislocations in silicon
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2004)

Texturization of multicrystalline silicon solar cells
Bằng: Li, Dai-Yin
Được phát hành: (2011)

3D CNN and grad-CAM based visualization for predicting generation of dislocation clusters in multicrystalline silicon
Bằng: Kyoka Hara, et al.
Được phát hành: (2023-09-01)

Reduction of Oxygen Impurity in Multicrystalline Silicon Production
Bằng: Bing Gao, et al.
Được phát hành: (2013-01-01)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1989)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1989)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Porous silicon and aluminum co-gettering experiment in p-type multicrystalline silicon substrate
Bằng: P.N. Vinod
Được phát hành: (2007-01-01)

Delineation of Crystalline Extended Defects on Multicrystalline Silicon Wafers
Bằng: Mohamed Fathi
Được phát hành: (2007-01-01)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Bằng: Fell, T, et al.
Được phát hành: (1989)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Bằng: Fell, T, et al.
Được phát hành: (1989)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)

An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1984)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2005)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2005)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1989)

Modelling of Light Trapping in Acidic-Textured Multicrystalline Silicon Wafers
Bằng: Yang Li, et al.
Được phát hành: (2012-01-01)

Electrophoretic Deposited Quartz Powder-Assisted Growth of Multicrystalline Silicon
Bằng: Xiang Quan, et al.
Được phát hành: (2022-04-01)

Dynamics at crystal/melt interface during solidification of multicrystalline silicon
Bằng: Fujiwara Kozo, et al.
Được phát hành: (2022-02-01)

Measurements of Dislocation Locking by Near-Surface Ion-Implanted Nitrogen in Czochralski Silicon
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)

Measurements of dislocation locking by near-surface ion-implanted nitrogen in Czochralski silicon
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2008)

Effect of Temperature and Humidity on the Degradation Rate of Multicrystalline Silicon Photovoltaic Module
Bằng: N. C. Park, et al.
Được phát hành: (2013-01-01)