Influence on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector of proton implantation and rapid thermal annealing

Influence on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector of proton implantation and rapid thermal annealing

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Li, N, Lu, W, Liu, X, Yuan, X, Dou, H, Shen, X, Fu, L, Tan, H, Jagadish, C, Johnston, M, Gal, M
Médium:	Journal article
Vydáno:	2000

Podobné jednotky

Proton implantation and rapid thermal annealing effects on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors
Autor: Li, N, a další
Vydáno: (1999)

GaAs/AlAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector
Autor: Fan, Weijun
Vydáno: (2008)

Spatially resolved luminescence investigation of AlGaAs/GaAs single quantum wires modified by selective implantation and annealing
Autor: Liu, X, a další
Vydáno: (1999)

GaAs/AlGaAs (111)A-based and InGaAsP based quantum well infrared photodetectors
Autor: Li, Hui
Vydáno: (2008)

Optical properties of arsenic ions implanted GaAs/AlGaAs V-grooved quantum wires
Autor: Zhao, Q, a další
Vydáno: (2000)

Novel impurity-free interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells by anodization and rapid thermal annealing
Autor: Yuan, S, a další
Vydáno: (1997)

GaAs/AlGaAs far-infrared quantum cascade laser
Autor: Callebaut, Hans, 1975-
Vydáno: (2009)

GaAs/AlGaAs mid-infrared quantum cascade laser
Autor: Williams, Benjamin S. (Benjamin Stanford), 1974-
Vydáno: (2009)

Multi-Mode Long-Wavelength GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors for Circular Polarization Detection
Autor: Jianlin Feng, a další
Vydáno: (2024-03-01)

Anodic-oxide-induced interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells
Autor: Yuan, S, a další
Vydáno: (1998)

Growth of p-type GaAs∕AlGaAs(111) quantum well infrared photodetector using solid source molecular-beam epitaxy
Autor: Li, H., a další
Vydáno: (2013)

High performance GaAs/AlGaAs radial heterostructure nanowires grown by MOCVD
Autor: Jiang, N, a další
Vydáno: (2013)

Capacitance spectroscopy of InAs quantum dots inserted in an AlGaAs/GaAs HEMT for photodetector applications
Autor: Abdelaali Fargi, a další
Vydáno: (2023-10-01)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2007)

V-grooved GaAs/AlGaAs quantum wires with side wall quantum wells intermixed by pulsed anodization and rapid thermal annealing
Autor: Kim, Y, a další
Vydáno: (1996)

Spatially-resolved photoluminescence imaging of CdS and GaAs/AlGaAs nanowires
Autor: Smith, L, a další
Vydáno: (2007)

TEM study of compositional profile in AlGaAs/GaAs quantum wells
Autor: Zou, J, a další
Vydáno: (1998)

Improved GaAs nanowire solar cells using AlGaAs for surface passivation
Autor: Lee, Y, a další
Vydáno: (2012)

Linearity of power AlGaAs/GaAs HBTs
Autor: Chatterjee, Ritwik, 1974-
Vydáno: (2009)

Simulations of AlGaAs/GaAs heterojunction phototransistors
Autor: Ściana Beata, a další
Vydáno: (2011-08-01)

Droplet epitaxy of strain-free GaAs/AlGaAs quantum molecules for optoelectronic applications
Autor: Lei, W, a další
Vydáno: (2012)

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
Autor: Kang, J, a další
Vydáno: (2011)

Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by MOVPE
Autor: Maxim A. Ladugin, a další
Vydáno: (2019-06-01)

Modeling of the growth of GaAs–AlGaAs core–shell nanowires
Autor: Qian Zhang, a další
Vydáno: (2017-02-01)

Temperature dependence of photoluminescence from single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires
Autor: Titova, L, a další
Vydáno: (2006)

Gate voltage tuning of photo-responses in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction
Autor: Takuya Kawazu
Vydáno: (2024-12-01)

Nearly intrinsic exciton lifetimes in single twin-free GaAs/AlGaAs core-shell nanowire heterostructures
Autor: Perera, S, a další
Vydáno: (2008)

Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector
Autor: Wang, H, a další
Vydáno: (2012)

Electric field dependence of the spin relaxation anisotropy in (111) GaAs/AlGaAs quantum wells
Autor: A Balocchi, a další
Vydáno: (2013-01-01)

Temperature characterization of GaAs/AlGaAs connecting tunnel diodes
Autor: Kontrosh Evgeniy, a další
Vydáno: (2023-12-01)

Laser Processing For Nanoscale Size Quantum Wires of AlGaAs/GaAs
Autor: Ahlam H. Jaffer, a další
Vydáno: (2014-02-01)

Photoresponse of Long-Wavelength AlGaAs/GaAs Quantum Cascade Detectors
Autor: Liang Li, a další
Vydáno: (2015-01-01)

Far-infrared modulated photocurrent in GaAs/AlGaAs coupled quantum well tunnelling structures
Autor: Stone, R, a další
Vydáno: (1996)

Photoluminescence of GaAs/AlGaAs heterojunctions in magnetic fields up to 50 T
Autor: Priest, A, a další
Vydáno: (1998)

Growth of GaAs/AlGaAs quantum well lasers and GaAs/InGaAs vertical cavity surface emitting lasers by MBE
Autor: Li, Chaoyong.
Vydáno: (2009)

Optimization of GaAs Nanowire Pin Junction Array Solar Cells by Using AlGaAs/GaAs Heterojunctions
Autor: Yao Wu, a další
Vydáno: (2018-04-01)

Proton irradiation-induced intermixing in InGaAs/(Al)GaAs quantum wells and quantum-well lasers
Autor: Fu, L, a další
Vydáno: (1999)

Optical transition in infrared photodetector based on V-groove Al0.5Ga0.5As/GaAs multiple quantum wire
Autor: Fu, Y, a další
Vydáno: (2001)

Thermally stimulated luminescence in ion-implanted GaAs
Autor: Gal, M, a další
Vydáno: (2002)

Resonant excitation and imaging of nonequilibrium exciton spins in single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires.
Autor: Hoang, T, a další
Vydáno: (2007)