Influence on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector of proton implantation and rapid thermal annealing

Influence on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector of proton implantation and rapid thermal annealing

Bibliografische gegevens
Hoofdauteurs:	Li, N, Lu, W, Liu, X, Yuan, X, Dou, H, Shen, X, Fu, L, Tan, H, Jagadish, C, Johnston, M, Gal, M
Formaat:	Journal article
Gepubliceerd in:	2000

Gelijkaardige items

Proton implantation and rapid thermal annealing effects on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors
door: Li, N, et al.
Gepubliceerd in: (1999)

GaAs/AlAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector
door: Fan, Weijun
Gepubliceerd in: (2008)

Spatially resolved luminescence investigation of AlGaAs/GaAs single quantum wires modified by selective implantation and annealing
door: Liu, X, et al.
Gepubliceerd in: (1999)

GaAs/AlGaAs (111)A-based and InGaAsP based quantum well infrared photodetectors
door: Li, Hui
Gepubliceerd in: (2008)

Optical properties of arsenic ions implanted GaAs/AlGaAs V-grooved quantum wires
door: Zhao, Q, et al.
Gepubliceerd in: (2000)

Novel impurity-free interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells by anodization and rapid thermal annealing
door: Yuan, S, et al.
Gepubliceerd in: (1997)

GaAs/AlGaAs far-infrared quantum cascade laser
door: Callebaut, Hans, 1975-
Gepubliceerd in: (2009)

GaAs/AlGaAs mid-infrared quantum cascade laser
door: Williams, Benjamin S. (Benjamin Stanford), 1974-
Gepubliceerd in: (2009)

Multi-Mode Long-Wavelength GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors for Circular Polarization Detection
door: Jianlin Feng, et al.
Gepubliceerd in: (2024-03-01)

Anodic-oxide-induced interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells
door: Yuan, S, et al.
Gepubliceerd in: (1998)

Growth of p-type GaAs∕AlGaAs(111) quantum well infrared photodetector using solid source molecular-beam epitaxy
door: Li, H., et al.
Gepubliceerd in: (2013)

High performance GaAs/AlGaAs radial heterostructure nanowires grown by MOCVD
door: Jiang, N, et al.
Gepubliceerd in: (2013)

Capacitance spectroscopy of InAs quantum dots inserted in an AlGaAs/GaAs HEMT for photodetector applications
door: Abdelaali Fargi, et al.
Gepubliceerd in: (2023-10-01)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

V-grooved GaAs/AlGaAs quantum wires with side wall quantum wells intermixed by pulsed anodization and rapid thermal annealing
door: Kim, Y, et al.
Gepubliceerd in: (1996)

Spatially-resolved photoluminescence imaging of CdS and GaAs/AlGaAs nanowires
door: Smith, L, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

TEM study of compositional profile in AlGaAs/GaAs quantum wells
door: Zou, J, et al.
Gepubliceerd in: (1998)

Improved GaAs nanowire solar cells using AlGaAs for surface passivation
door: Lee, Y, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Linearity of power AlGaAs/GaAs HBTs
door: Chatterjee, Ritwik, 1974-
Gepubliceerd in: (2009)

Simulations of AlGaAs/GaAs heterojunction phototransistors
door: Ściana Beata, et al.
Gepubliceerd in: (2011-08-01)

Droplet epitaxy of strain-free GaAs/AlGaAs quantum molecules for optoelectronic applications
door: Lei, W, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by MOVPE
door: Maxim A. Ladugin, et al.
Gepubliceerd in: (2019-06-01)

Modeling of the growth of GaAs–AlGaAs core–shell nanowires
door: Qian Zhang, et al.
Gepubliceerd in: (2017-02-01)

Temperature dependence of photoluminescence from single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires
door: Titova, L, et al.
Gepubliceerd in: (2006)

Gate voltage tuning of photo-responses in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction
door: Takuya Kawazu
Gepubliceerd in: (2024-12-01)

Nearly intrinsic exciton lifetimes in single twin-free GaAs/AlGaAs core-shell nanowire heterostructures
door: Perera, S, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector
door: Wang, H, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Electric field dependence of the spin relaxation anisotropy in (111) GaAs/AlGaAs quantum wells
door: A Balocchi, et al.
Gepubliceerd in: (2013-01-01)

Temperature characterization of GaAs/AlGaAs connecting tunnel diodes
door: Kontrosh Evgeniy, et al.
Gepubliceerd in: (2023-12-01)

Laser Processing For Nanoscale Size Quantum Wires of AlGaAs/GaAs
door: Ahlam H. Jaffer, et al.
Gepubliceerd in: (2014-02-01)

Photoresponse of Long-Wavelength AlGaAs/GaAs Quantum Cascade Detectors
door: Liang Li, et al.
Gepubliceerd in: (2015-01-01)

Far-infrared modulated photocurrent in GaAs/AlGaAs coupled quantum well tunnelling structures
door: Stone, R, et al.
Gepubliceerd in: (1996)

Photoluminescence of GaAs/AlGaAs heterojunctions in magnetic fields up to 50 T
door: Priest, A, et al.
Gepubliceerd in: (1998)

Growth of GaAs/AlGaAs quantum well lasers and GaAs/InGaAs vertical cavity surface emitting lasers by MBE
door: Li, Chaoyong.
Gepubliceerd in: (2009)

Optimization of GaAs Nanowire Pin Junction Array Solar Cells by Using AlGaAs/GaAs Heterojunctions
door: Yao Wu, et al.
Gepubliceerd in: (2018-04-01)

Proton irradiation-induced intermixing in InGaAs/(Al)GaAs quantum wells and quantum-well lasers
door: Fu, L, et al.
Gepubliceerd in: (1999)

Optical transition in infrared photodetector based on V-groove Al0.5Ga0.5As/GaAs multiple quantum wire
door: Fu, Y, et al.
Gepubliceerd in: (2001)

Thermally stimulated luminescence in ion-implanted GaAs
door: Gal, M, et al.
Gepubliceerd in: (2002)

Resonant excitation and imaging of nonequilibrium exciton spins in single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires.
door: Hoang, T, et al.
Gepubliceerd in: (2007)