Influence on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector of proton implantation and rapid thermal annealing

Influence on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector of proton implantation and rapid thermal annealing

Бібліографічні деталі
Автори:	Li, N, Lu, W, Liu, X, Yuan, X, Dou, H, Shen, X, Fu, L, Tan, H, Jagadish, C, Johnston, M, Gal, M
Формат:	Journal article
Опубліковано:	2000

Схожі ресурси

Proton implantation and rapid thermal annealing effects on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors
за авторством: Li, N, та інші
Опубліковано: (1999)

GaAs/AlAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector
за авторством: Fan, Weijun
Опубліковано: (2008)

Spatially resolved luminescence investigation of AlGaAs/GaAs single quantum wires modified by selective implantation and annealing
за авторством: Liu, X, та інші
Опубліковано: (1999)

GaAs/AlGaAs (111)A-based and InGaAsP based quantum well infrared photodetectors
за авторством: Li, Hui
Опубліковано: (2008)

Optical properties of arsenic ions implanted GaAs/AlGaAs V-grooved quantum wires
за авторством: Zhao, Q, та інші
Опубліковано: (2000)

Novel impurity-free interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells by anodization and rapid thermal annealing
за авторством: Yuan, S, та інші
Опубліковано: (1997)

GaAs/AlGaAs far-infrared quantum cascade laser
за авторством: Callebaut, Hans, 1975-
Опубліковано: (2009)

GaAs/AlGaAs mid-infrared quantum cascade laser
за авторством: Williams, Benjamin S. (Benjamin Stanford), 1974-
Опубліковано: (2009)

Multi-Mode Long-Wavelength GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors for Circular Polarization Detection
за авторством: Jianlin Feng, та інші
Опубліковано: (2024-03-01)

Anodic-oxide-induced interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells
за авторством: Yuan, S, та інші
Опубліковано: (1998)

Growth of p-type GaAs∕AlGaAs(111) quantum well infrared photodetector using solid source molecular-beam epitaxy
за авторством: Li, H., та інші
Опубліковано: (2013)

High performance GaAs/AlGaAs radial heterostructure nanowires grown by MOCVD
за авторством: Jiang, N, та інші
Опубліковано: (2013)

Capacitance spectroscopy of InAs quantum dots inserted in an AlGaAs/GaAs HEMT for photodetector applications
за авторством: Abdelaali Fargi, та інші
Опубліковано: (2023-10-01)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2007)

V-grooved GaAs/AlGaAs quantum wires with side wall quantum wells intermixed by pulsed anodization and rapid thermal annealing
за авторством: Kim, Y, та інші
Опубліковано: (1996)

Spatially-resolved photoluminescence imaging of CdS and GaAs/AlGaAs nanowires
за авторством: Smith, L, та інші
Опубліковано: (2007)

TEM study of compositional profile in AlGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Zou, J, та інші
Опубліковано: (1998)

Improved GaAs nanowire solar cells using AlGaAs for surface passivation
за авторством: Lee, Y, та інші
Опубліковано: (2012)

Linearity of power AlGaAs/GaAs HBTs
за авторством: Chatterjee, Ritwik, 1974-
Опубліковано: (2009)

Simulations of AlGaAs/GaAs heterojunction phototransistors
за авторством: Ściana Beata, та інші
Опубліковано: (2011-08-01)

Droplet epitaxy of strain-free GaAs/AlGaAs quantum molecules for optoelectronic applications
за авторством: Lei, W, та інші
Опубліковано: (2012)

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
за авторством: Kang, J, та інші
Опубліковано: (2011)

Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by MOVPE
за авторством: Maxim A. Ladugin, та інші
Опубліковано: (2019-06-01)

Modeling of the growth of GaAs–AlGaAs core–shell nanowires
за авторством: Qian Zhang, та інші
Опубліковано: (2017-02-01)

Temperature dependence of photoluminescence from single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires
за авторством: Titova, L, та інші
Опубліковано: (2006)

Gate voltage tuning of photo-responses in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction
за авторством: Takuya Kawazu
Опубліковано: (2024-12-01)

Nearly intrinsic exciton lifetimes in single twin-free GaAs/AlGaAs core-shell nanowire heterostructures
за авторством: Perera, S, та інші
Опубліковано: (2008)

Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector
за авторством: Wang, H, та інші
Опубліковано: (2012)

Electric field dependence of the spin relaxation anisotropy in (111) GaAs/AlGaAs quantum wells
за авторством: A Balocchi, та інші
Опубліковано: (2013-01-01)

Temperature characterization of GaAs/AlGaAs connecting tunnel diodes
за авторством: Kontrosh Evgeniy, та інші
Опубліковано: (2023-12-01)

Laser Processing For Nanoscale Size Quantum Wires of AlGaAs/GaAs
за авторством: Ahlam H. Jaffer, та інші
Опубліковано: (2014-02-01)

Photoresponse of Long-Wavelength AlGaAs/GaAs Quantum Cascade Detectors
за авторством: Liang Li, та інші
Опубліковано: (2015-01-01)

Far-infrared modulated photocurrent in GaAs/AlGaAs coupled quantum well tunnelling structures
за авторством: Stone, R, та інші
Опубліковано: (1996)

Photoluminescence of GaAs/AlGaAs heterojunctions in magnetic fields up to 50 T
за авторством: Priest, A, та інші
Опубліковано: (1998)

Growth of GaAs/AlGaAs quantum well lasers and GaAs/InGaAs vertical cavity surface emitting lasers by MBE
за авторством: Li, Chaoyong.
Опубліковано: (2009)

Optimization of GaAs Nanowire Pin Junction Array Solar Cells by Using AlGaAs/GaAs Heterojunctions
за авторством: Yao Wu, та інші
Опубліковано: (2018-04-01)

Proton irradiation-induced intermixing in InGaAs/(Al)GaAs quantum wells and quantum-well lasers
за авторством: Fu, L, та інші
Опубліковано: (1999)

Optical transition in infrared photodetector based on V-groove Al0.5Ga0.5As/GaAs multiple quantum wire
за авторством: Fu, Y, та інші
Опубліковано: (2001)

Thermally stimulated luminescence in ion-implanted GaAs
за авторством: Gal, M, та інші
Опубліковано: (2002)

Resonant excitation and imaging of nonequilibrium exciton spins in single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires.
за авторством: Hoang, T, та інші
Опубліковано: (2007)