تخطي إلى المحتوى
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
اللغة
كل الحقول
العنوان
المؤلف
الموضوع
رقم الاستدعاء
ردمك/تدمد
الوسم
ابحث
بحث متقدم
Influence on GaAs/AlGaAs quant...
استشهد بهذا
أرسل هذا في رسالة قصيرة
أرسل هذا بالبريد الإلكتروني
طباعة
تصدير التسجيلة
تصدير إلى RefWorks
تصدير إلى EndNoteWeb
تصدير إلى EndNote
رابط دائم
Influence on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector of proton implantation and rapid thermal annealing
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:
Li, N
,
Lu, W
,
Liu, X
,
Yuan, X
,
Dou, H
,
Shen, X
,
Fu, L
,
Tan, H
,
Jagadish, C
,
Johnston, M
,
Gal, M
التنسيق:
Journal article
منشور في:
2000
المقتنيات
الوصف
مواد مشابهة
عرض للأخصائي
مواد مشابهة
Proton implantation and rapid thermal annealing effects on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors
حسب: Li, N, وآخرون
منشور في: (1999)
GaAs/AlAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector
حسب: Fan, Weijun
منشور في: (2008)
Spatially resolved luminescence investigation of AlGaAs/GaAs single quantum wires modified by selective implantation and annealing
حسب: Liu, X, وآخرون
منشور في: (1999)
GaAs/AlGaAs (111)A-based and InGaAsP based quantum well infrared photodetectors
حسب: Li, Hui
منشور في: (2008)
Novel impurity-free interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells by anodization and rapid thermal annealing
حسب: Yuan, S, وآخرون
منشور في: (1997)