Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
Influence on GaAs/AlGaAs quant...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
Influence on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector of proton implantation and rapid thermal annealing
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Li, N
,
Lu, W
,
Liu, X
,
Yuan, X
,
Dou, H
,
Shen, X
,
Fu, L
,
Tan, H
,
Jagadish, C
,
Johnston, M
,
Gal, M
Format:
Journal article
Publicat:
2000
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Ítems similars
Proton implantation and rapid thermal annealing effects on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors
per: Li, N, et al.
Publicat: (1999)
GaAs/AlAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector
per: Fan, Weijun
Publicat: (2008)
Spatially resolved luminescence investigation of AlGaAs/GaAs single quantum wires modified by selective implantation and annealing
per: Liu, X, et al.
Publicat: (1999)
GaAs/AlGaAs (111)A-based and InGaAsP based quantum well infrared photodetectors
per: Li, Hui
Publicat: (2008)
Novel impurity-free interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells by anodization and rapid thermal annealing
per: Yuan, S, et al.
Publicat: (1997)