Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
Influence on GaAs/AlGaAs quant...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
Influence on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector of proton implantation and rapid thermal annealing
Opis bibliograficzny
Główni autorzy:
Li, N
,
Lu, W
,
Liu, X
,
Yuan, X
,
Dou, H
,
Shen, X
,
Fu, L
,
Tan, H
,
Jagadish, C
,
Johnston, M
,
Gal, M
Format:
Journal article
Wydane:
2000
Egzemplarz
Opis
Podobne zapisy
Wersja MARC
Podobne zapisy
Proton implantation and rapid thermal annealing effects on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors
od: Li, N, i wsp.
Wydane: (1999)
GaAs/AlAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector
od: Fan, Weijun
Wydane: (2008)
Spatially resolved luminescence investigation of AlGaAs/GaAs single quantum wires modified by selective implantation and annealing
od: Liu, X, i wsp.
Wydane: (1999)
GaAs/AlGaAs (111)A-based and InGaAsP based quantum well infrared photodetectors
od: Li, Hui
Wydane: (2008)
Novel impurity-free interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells by anodization and rapid thermal annealing
od: Yuan, S, i wsp.
Wydane: (1997)