Initial/final state selection of the spin polarization in electron tunneling across an epitaxial Fe/GaAs(001) interface
Spin dependent electron transport across epitaxial FeGaAs (001) interfaces has been investigated using photoexcitation techniques. Spin filtering is observed in the forward bias regime and its sign is switched by using different photon energies. First principles calculations suggest that the spin po...
Հիմնական հեղինակներ: | Kurebayashi, H, Steinmuller, S, Laloe, J, Trypiniotis, T, Easton, S, Ionescu, A, Yates, JR, Bland, J |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
2007
|
Նմանատիպ նյութեր
-
Self-organization of nanoneedles in Fe/GaAs (001) epitaxial thin film
: Huang, Y, և այլն
Հրապարակվել է: (2006) -
Selective etching of epitaxial MnAs films on GaAs(001): Influence of structure and strain
: Mohanty, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2005) -
Variable-temperature micromagnetic study of epitaxially grown MnAs films on GaAs(001)
: Mohanty, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2003) -
Temperature insensitivity of the spin-polarization in Co2MnSi films on GaAs (001)
: Branford, W, և այլն
Հրապարակվել է: (2007) -
Temperature-dependent magnetic force microscopy investigation of epitaxial MnAs films on GaAs(001)
: Plake, T, և այլն
Հրապարակվել է: (2003)