A COMPARATIVE-STUDY OF THE ADSORPTION OF HOT-FILAMENT ACTIVATED HYDROCARBONS ON SILICON, GALLIUM-ARSENIDE AND CVD DIAMOND
Adsorption studies of hot filament activated methane and methane-hydrogen mixtures on non-diamond and diamond surfaces reveal considerable differences in both the nature of the species formed on the surface and the subsequent surface lifetimes of these forms. In the case of GaAs(100), no evidence is...
Հիմնական հեղինակներ: | Chua, L, Jackman, R, Kingsley, C, Foord, J |
---|---|
Ձևաչափ: | Conference item |
Հրապարակվել է: |
1994
|
Նմանատիպ նյութեր
-
THE INITIAL-STAGES OF DIAMOND GROWTH - AN ADSORPTION STUDY OF HOT-FILAMENT ACTIVATED METHANE AND HYDROGEN ON SI(100)
: Jackman, R, և այլն
Հրապարակվել է: (1993) -
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
: Wilshaw, P, և այլն
Հրապարակվել է: (1989) -
A ROUTE FOR THE FORMATION OF CH2 SPECIES DURING DIAMOND CVD
: Jackman, R, և այլն
Հրապարակվել է: (1995) -
VLSI fabrication principles : silicon and gallium arsenide /
: 359597 Ghandi, Sorab K.
Հրապարակվել է: (1994) -
VLSI fabrication principles: silicon and gallium arsenide/
: 359597 Ghandi, Sorab K.
Հրապարակվել է: (1983)