Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
CYCLOTRON-RESONANCE OF HIGH-MO...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
CYCLOTRON-RESONANCE OF HIGH-MOBILITY GAAS/ALGAAS(311) 2DHGS
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Hawksworth, S
,
Hill, S
,
Janssen, T
,
Chamberlain, J
,
Singleton, J
,
Ekenberg, U
,
Summers, G
,
Davies, G
,
Nicholas, R
,
Valadares, E
,
Henini, M
,
Perenboom, J
Format:
Journal article
Publicat:
1993
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Ítems similars
Cyclotron resonance in ultra-low-hole-density narrow p-type GaAs/(Al,Ga)As quantum wells
per: Cole, B, et al.
Publicat: (1997)
Deep-level Transient Spectroscopy of GaAs/AlGaAs Multi-Quantum Wells Grown on (100) and (311)B GaAs Substrates
per: Shafi M, et al.
Publicat: (2010-01-01)
Electrical characterisation of deep level defects in Be-doped AlGaAs grown on (100) and (311)A GaAs substrates by MBE
per: Henini Mohamed, et al.
Publicat: (2011-01-01)
POLARON COUPLING IN GAAS-GAALAS HETEROSTRUCTURES OBSERVED BY CYCLOTRON AND MAGNETOPHONON RESONANCE
per: Nicholas, R, et al.
Publicat: (1989)
CYCLOTRON-RESONANCE TO 100 MK OF A GAAS HETEROJUNCTION IN THE ULTRA-QUANTUM LIMIT
per: Michels, J, et al.
Publicat: (1994)