Перейти до змісту
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Мова
Всі поля
Назва
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Тег
Знайти
Розширений
CYCLOTRON-RESONANCE OF HIGH-MO...
Цитувати
Відправити по sms
Відправити е-поштою
Друк
Експортувати запис
Екпортувати в RefWorks
Екпортувати в EndNoteWeb
Екпортувати в EndNote
Постійне посилання
CYCLOTRON-RESONANCE OF HIGH-MOBILITY GAAS/ALGAAS(311) 2DHGS
Бібліографічні деталі
Автори:
Hawksworth, S
,
Hill, S
,
Janssen, T
,
Chamberlain, J
,
Singleton, J
,
Ekenberg, U
,
Summers, G
,
Davies, G
,
Nicholas, R
,
Valadares, E
,
Henini, M
,
Perenboom, J
Формат:
Journal article
Опубліковано:
1993
Примірники
Опис
Схожі ресурси
Службовий вигляд
Схожі ресурси
Cyclotron resonance in ultra-low-hole-density narrow p-type GaAs/(Al,Ga)As quantum wells
за авторством: Cole, B, та інші
Опубліковано: (1997)
Deep-level Transient Spectroscopy of GaAs/AlGaAs Multi-Quantum Wells Grown on (100) and (311)B GaAs Substrates
за авторством: Shafi M, та інші
Опубліковано: (2010-01-01)
Electrical characterisation of deep level defects in Be-doped AlGaAs grown on (100) and (311)A GaAs substrates by MBE
за авторством: Henini Mohamed, та інші
Опубліковано: (2011-01-01)
POLARON COUPLING IN GAAS-GAALAS HETEROSTRUCTURES OBSERVED BY CYCLOTRON AND MAGNETOPHONON RESONANCE
за авторством: Nicholas, R, та інші
Опубліковано: (1989)
CYCLOTRON-RESONANCE TO 100 MK OF A GAAS HETEROJUNCTION IN THE ULTRA-QUANTUM LIMIT
за авторством: Michels, J, та інші
Опубліковано: (1994)