Optical transition in infrared photodetector based on V-groove Al0.5Ga0.5As/GaAs multiple quantum wire
প্রধান লেখক: | Fu, Y, Willander, M, Liu, X, Lu, W, Shen, S, Tan, H, Jagadish, C, Zou, J, Cockayne, D |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
প্রকাশিত: |
2001
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Strain effect in a GaAs-In0.25Ga0.75As-Al0.5Ga0.5As asymmetric quantum wire
অনুযায়ী: Fu, Y, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2000) -
Photoluminescence studies of In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots /
অনুযায়ী: Yussof Wahab, author, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2006) -
Photoluminescence studies of In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots
অনুযায়ী: Wahab, Yussof, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2006) -
Photoluminescence Studies of In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots
অনুযায়ী: Wahab, Yussof, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2006) -
Evolution of GaAs capping layer on In0.5Gao.5As/GaAs quantum dors structure /
অনুযায়ী: Didik Aryanto, 1983-, author, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2009)