Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Sprog
Alle Felter
Titel
Forfatter
Fag
Klassifikationsnummer
ISBN/ISSN
Tag
Find
Udvidet
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF D...
Citér dette
Stav dette
Email dette
Udskriv
Eksportér post
Eksportér til RefWorks
Eksportér til EndNoteWeb
Eksportér til EndNote
Permanent link
Export Ready —
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Show other versions (1)
Bibliografiske detaljer
Main Authors:
Wilshaw, P
,
Fell, T
Format:
Conference item
Udgivet:
1989
Beholdninger
Beskrivelse
Other Versions (1)
Lignende værker
Medarbejdervisning
Lignende værker
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
af: Wilshaw, P, et al.
Udgivet: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
af: Fell, T, et al.
Udgivet: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
af: Fell, T, et al.
Udgivet: (1989)
An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
af: Wilshaw, P, et al.
Udgivet: (1984)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
af: Wilshaw, P, et al.
Udgivet: (1989)