Single n+-i-n+ InP Nanowires for Highly Sensitive Terahertz Detection
Developing single-nanowire terahertz (THz) electronics and employing them as sub-wavelength components for highly-integrated THz time-domain spectroscopy (THz-TDS) applications are a promising approach to achieve future low-cost, highly integrable and high-resolution THz tools, which are desirable i...
Հիմնական հեղինակներ: | Peng, K, Parkinson, P, Gao, Q, Boland, J, Li, Z, Wang, F, Mokkapati, S, Fu, L, Johnston, M, Tan, H, Jagadish, C |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
IOP Publishing Ltd
2017
|
Նմանատիպ նյութեր
-
Broadband Phase-Sensitive Single InP Nanowire Photoconductive Terahertz Detectors
: Peng, K, և այլն
Հրապարակվել է: (2016) -
Single Nanowire Photoconductive Terahertz Detectors.
: Peng, K, և այլն
Հրապարակվել է: (2014) -
Broadband single-nanowire photoconductive Terahertz detectors
: Peng, K, և այլն
Հրապարակվել է: (2017) -
Electronic properties of GaAs, InAs and InP nanowires studied by terahertz spectroscopy.
: Joyce, H, և այլն
Հրապարակվել է: (2013) -
InP nanowires grown by SA-MOVPE
: Gao, Q, և այլն
Հրապարակվել է: (2012)