Single n+-i-n+ InP Nanowires for Highly Sensitive Terahertz Detection

Single n+-i-n+ InP Nanowires for Highly Sensitive Terahertz Detection

Developing single-nanowire terahertz (THz) electronics and employing them as sub-wavelength components for highly-integrated THz time-domain spectroscopy (THz-TDS) applications are a promising approach to achieve future low-cost, highly integrable and high-resolution THz tools, which are desirable i...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Peng, K, Parkinson, P, Gao, Q, Boland, J, Li, Z, Wang, F, Mokkapati, S, Fu, L, Johnston, M, Tan, H, Jagadish, C
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	IOP Publishing Ltd 2017

Những quyển sách tương tự

Broadband Phase-Sensitive Single InP Nanowire Photoconductive Terahertz Detectors
Bằng: Peng, K, et al.
Được phát hành: (2016)

Single Nanowire Photoconductive Terahertz Detectors.
Bằng: Peng, K, et al.
Được phát hành: (2014)

Broadband single-nanowire photoconductive Terahertz detectors
Bằng: Peng, K, et al.
Được phát hành: (2017)

Electronic properties of GaAs, InAs and InP nanowires studied by terahertz spectroscopy.
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2013)

InP nanowires grown by SA-MOVPE
Bằng: Gao, Q, et al.
Được phát hành: (2012)

Ultralow surface recombination velocity in InP nanowires probed by terahertz spectroscopy.
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2012)

Transient terahertz conductivity of GaAs nanowires
Bằng: Parkinson, P, et al.
Được phát hành: (2007)

Distinguishing cap and core contributions to the photoconductive terahertz response of single GaAs based core–shell–cap nanowire detectors
Bằng: Peng, K, et al.
Được phát hành: (2018)

Growth of InP nanowires on silicon using a thin buffer layer
Bằng: Fonseka, H, et al.
Được phát hành: (2012)

Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
Bằng: Jackson, H, et al.
Được phát hành: (2008)

An ion-implanted InP receiver for polarization resolved terahertz spectroscopy.
Bằng: Castro-Camus, E, et al.
Được phát hành: (2007)

The influence of surfaces on the transient terahertz conductivity and electron mobility of GaAs nanowires
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2017)

Carrier thermalization dynamics in single zincblende and wurtzite InP nanowires
Bằng: Wang, Yuda, et al.
Được phát hành: (2014)

Quantum confinement of excitons in wurtzite InP nanowires
Bằng: Pemasiri, K, et al.
Được phát hành: (2015)

Growth of InP nanowires on silicon using a thin buffer layer
Bằng: Fonseka, H. Aruni, et al.
Được phát hành: (2012)

Dynamics of strongly degenerate electron-hole plasmas and excitons in single InP nanowires.
Bằng: Titova, L, et al.
Được phát hành: (2007)

Direct observation of charge-carrier heating at WZ-ZB InP nanowire heterojunctions.
Bằng: Yong, C, et al.
Được phát hành: (2013)

Nonlinear optical processes in optically trapped InP nanowires
Bằng: Wang, Fan, et al.
Được phát hành: (2011)

An ultrafast switchable terahertz polarization modulator based on III--V semiconductor nanowires
Bằng: Baig, S, et al.
Được phát hành: (2017)

Optically pumped room-temperature GaAs nanowire lasers
Bằng: Saxena, D, et al.
Được phát hành: (2013)

III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
Bằng: Mokkapati, S, et al.
Được phát hành: (2013)

Conductivity of nanoporous InP membranes investigated using terahertz spectroscopy
Bằng: Merchant, S, et al.
Được phát hành: (2007)

Conductivity of nanoporous InP membranes investigated using terahertz spectroscopy
Bằng: Merchant, S, et al.
Được phát hành: (2008)

Conductivity of nanoporous InP membranes investigated using terahertz spectroscopy.
Bằng: Merchant, S, et al.
Được phát hành: (2008)

Effects of growth rate on InP nanowires morphology and crystal structure
Bằng: Paiman, Suriati, et al.
Được phát hành: (2013)

Conductivity of nanoporous InP membranes investigated using terahertz spectroscopy
Bằng: Merchant, S, et al.
Được phát hành: (2007)

Modulation of terahertz polarization on picosecond timescales using polymer-encapsulated semiconductor nanowires
Bằng: Baig, SA, et al.
Được phát hành: (2017)

Au-catalyzed InP nanowires: The influence of growth temperature and V/III ratio
Bằng: Paiman, S, et al.
Được phát hành: (2010)

InAs/InP/InSb Nanowires as Low Capacitance n-n Heterojunction Diodes
Bằng: A. Pitanti, et al.
Được phát hành: (2011-08-01)

High vertical yield InP nanowire growth on Si(111) using a thin buffer layer.
Bằng: Fonseka, H, et al.
Được phát hành: (2013)

Polarization and temperature dependence of photoluminescence from zincblende and wurtzite InP nanowires
Bằng: Mishra, A, et al.
Được phát hành: (2007)

Growth temperature and V/III ratio effects on the morphology and crystal structure of InP nanowires
Bằng: Paiman, S, et al.
Được phát hành: (2010)

Quantum dots and nanowires for photonics applications
Bằng: Mokkapati, S, et al.
Được phát hành: (2006)

Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector
Bằng: Wang, H, et al.
Được phát hành: (2012)

Growth temperature and V/III ratio effects on the morphology and crystal structure of InP nanowires.
Bằng: Paiman, Suriati, et al.
Được phát hành: (2010)

Carrier lifetime and mobility enhancement in nearly defect-free core-shell nanowires measured using time-resolved terahertz spectroscopy.
Bằng: Parkinson, P, et al.
Được phát hành: (2009)

Picosecond carrier lifetime measurements on a single GaAs Nanowire
Bằng: Parkinson, P, et al.
Được phát hành: (2012)

Terahertz photoconductivity of mobile electrons in nanoporous InP honeycombs
Bằng: Lloyd-Hughes, J, et al.
Được phát hành: (2008)

Engineering III-V nanowires for optoelectronics: from epitaxy to terahertz photonics
Bằng: Joyce, HJ, et al.
Được phát hành: (2018)

Terahertz spectroscopy of semiconductor nanowires for device applications
Bằng: Boland, J
Được phát hành: (2016)