Aller au contenu
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Langue
Tous les champs
Titre
Auteur
Sujet
Cote
ISBN/ISSN
Tag
Rechercher
Recherche avancée
MEASUREMENT OF CONTRAST FROM I...
Citer
Envoyer par SMS
Envoyer par courriel
Imprimer
Exporter les notices
Exporter vers RefWorks
Exporter vers EndNoteWeb
Exporter vers EndNote
Permalien
MEASUREMENT OF CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS BY LOCK-IN EBIC
Détails bibliographiques
Auteurs principaux:
Ourmazd, A
,
Wilshaw, P
,
Cripps, R
Format:
Journal article
Publié:
1982
Exemplaires
Description
Documents similaires
Affichage MARC
Description
Résumé:
Documents similaires
TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
par: Ourmazd, A, et autres
Publié: (1983)
THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON
par: Ourmazd, A, et autres
Publié: (1983)
SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATIONS IN SILICON USING A COMPUTERIZED EBIC SYSTEM
par: Wilshaw, P, et autres
Publié: (1983)
SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATION IN SILICON USING A COMPUTERISED EBIC SYSTEM.
par: Wilshaw, P, et autres
Publié: (1983)
NEW RESULTS AND AN INTERPRETATION FOR SEM EBIC CONTRAST ARISING FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
par: Wilshaw, P, et autres
Publié: (1985)