Агуулга руу алгасах
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Хэл сонгох
Бүх талбарууд
Гарчиг
Зохиогч
Сэдэв
Зохиогчийн тэмдэгт
ISBN/ISSN
Шошго
Хайх
Дэлгэрэнгүй
MEASUREMENT OF CONTRAST FROM I...
Үүнийг ишлэх
Үүнийг мессежээр илгээх
Үүнийг цахим шуудангаар илгээх
Хэвлэх
Бүртгэлийг экспортлох
RefWorks руу экспортлох
EndNoteWeb руу экспортлох
EndNote руу экспортлох
Байнгын холбоос
MEASUREMENT OF CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS BY LOCK-IN EBIC
Номзүйн дэлгэрэнгүй
Үндсэн зохиолчид:
Ourmazd, A
,
Wilshaw, P
,
Cripps, R
Формат:
Journal article
Хэвлэсэн:
1982
Түр хойшлуулсан зүйлс
Тодорхойлолт
Ижил төстэй зүйлс
Ажилтнуудыг харах
Тодорхойлолт
Тойм:
Ижил төстэй зүйлс
TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
-н: Ourmazd, A, зэрэг
Хэвлэсэн: (1983)
THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON
-н: Ourmazd, A, зэрэг
Хэвлэсэн: (1983)
SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATIONS IN SILICON USING A COMPUTERIZED EBIC SYSTEM
-н: Wilshaw, P, зэрэг
Хэвлэсэн: (1983)
SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATION IN SILICON USING A COMPUTERISED EBIC SYSTEM.
-н: Wilshaw, P, зэрэг
Хэвлэсэн: (1983)
NEW RESULTS AND AN INTERPRETATION FOR SEM EBIC CONTRAST ARISING FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
-н: Wilshaw, P, зэрэг
Хэвлэсэн: (1985)