MEASUREMENT OF CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS BY LOCK-IN EBIC

MEASUREMENT OF CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS BY LOCK-IN EBIC

Бібліографічні деталі
Автори:	Ourmazd, A, Wilshaw, P, Cripps, R
Формат:	Journal article
Опубліковано:	1982

Схожі ресурси

TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
за авторством: Ourmazd, A, та інші
Опубліковано: (1983)

THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Ourmazd, A, та інші
Опубліковано: (1983)

SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATIONS IN SILICON USING A COMPUTERIZED EBIC SYSTEM
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1983)

SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATION IN SILICON USING A COMPUTERISED EBIC SYSTEM.
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1983)

NEW RESULTS AND AN INTERPRETATION FOR SEM EBIC CONTRAST ARISING FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1985)

DISLOCATION RECOMBINATION THEORY FOR SILICON AND INTERPRETATION OF EBIC CONTRAST IN TERMS OF FUNDAMENTAL DISLOCATION PARAMETERS.
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1986)

An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1984)

EBIC CONTRAST OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1991)

EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCATIONS AND THEIR INTERACTIONS WITH IMPURITIES IN SILICON
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1993)

AN EBIC INVESTIGATION OF ALPHA, BETA AND SCREW DISLOCATIONS IN GALLIUM-ARSENIDE
за авторством: Galloway, S, та інші
Опубліковано: (1993)

QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1991)

QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1991)

ELECTRICAL BEHAVIOUR OF INDIVIDUAL DISLOCATIONS, SHOCKLEY PARTIALS AND STACKING FAULT RIBBONS IN SILICON.
за авторством: Ourmazd, A, та інші
Опубліковано: (1982)

THE ELECTRICAL BEHAVIOR OF INDIVIDUAL DISLOCATIONS, SHOCKLEY PARTIALS AND STACKING-FAULT RIBBONS IN SILICON
за авторством: Ourmazd, A, та інші
Опубліковано: (1983)

THE EXPERIMENTAL REQUIREMENTS FOR QUANTITATIVE MEASUREMENT OF CARRIER RECOMBINATION AT DEFECTS IN SEMICONDUCTORS USING THE EBIC TECHNIQUE
за авторством: Wilshaw, P
Опубліковано: (1989)

ON THE FORMATION OF BRIGHT EBIC CONTRASTS AT CRYSTAL DEFECTS
за авторством: Blumtritt, H, та інші
Опубліковано: (1989)

Impurity locking of dislocations in silicon
за авторством: Giannattasio, A, та інші
Опубліковано: (2004)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
за авторством: Senkader, S, та інші
Опубліковано: (2001)

ELECTRICAL BEHAVIOUR OF INDIVIDUAL DISLOCATIONS, SHOCKLEY PARTIALS AND STACKING FAULTS.
за авторством: Ourmazd, A, та інші
Опубліковано: (1982)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
за авторством: Senkader, S, та інші
Опубліковано: (1999)

Out-diffusion of nitrogen from float-zone silicon measured by dislocation locking
за авторством: Alpass, C, та інші
Опубліковано: (2007)

A comparison between the use of EBIC and IBIC microscopy for semiconductor defect analysis
за авторством: Breese, M, та інші
Опубліковано: (1998)

Understanding and optimising EBIC pn-junction characterisation from modelling insights
за авторством: Zhou, R, та інші
Опубліковано: (2020)

Dislocation locking by nitrogen impurities in FZ-silicon
за авторством: Giannattasio, A, та інші
Опубліковано: (2003)

Measurements of Dislocation Locking by Near-Surface Ion-Implanted Nitrogen in Czochralski Silicon
за авторством: Alpass, C, та інші
Опубліковано: (2009)

Measurements of dislocation locking by near-surface ion-implanted nitrogen in Czochralski silicon
за авторством: Alpass, C, та інші
Опубліковано: (2008)

Oxygen-dislocation interactions in silicon at temperatures below 700 degrees C: Dislocation locking and oxygen diffusion
за авторством: Senkader, S, та інші
Опубліковано: (2001)

Dislocation locking in silicon by oxygen and oxygen transport at low temperatures
за авторством: Senkader, S, та інші
Опубліковано: (2004)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2006)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2005)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
за авторством: Giannattasio, A, та інші
Опубліковано: (2005)

Dislocation locking by oxygen in silicon: New insights to oxygen diffusion at low temperatures
за авторством: Senkader, S, та інші
Опубліковано: (2002)

THEORETICAL INVESTIGATIONS OF COMBINED CL AND EBIC MEASUREMENTS ON CRYSTAL DEFECTS
за авторством: Hildebrandt, S, та інші
Опубліковано: (1989)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2005)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2005)

Device parameters characterization with the use of EBIC
за авторством: Oka Kurniawan
Опубліковано: (2010)

Junction depth & defect characterization with the use of EBIC
за авторством: Phua, Poh Chin.
Опубліковано: (2008)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments (vol 152, pg G460, 2005)
за авторством: Giannattasio, A, та інші
Опубліковано: (2005)