MEASUREMENT OF CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS BY LOCK-IN EBIC
Hlavní autoři: | Ourmazd, A, Wilshaw, P, Cripps, R |
---|---|
Médium: | Journal article |
Vydáno: |
1982
|
Podobné jednotky
-
TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
Autor: Ourmazd, A, a další
Vydáno: (1983) -
THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON
Autor: Ourmazd, A, a další
Vydáno: (1983) -
SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATIONS IN SILICON USING A COMPUTERIZED EBIC SYSTEM
Autor: Wilshaw, P, a další
Vydáno: (1983) -
SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATION IN SILICON USING A COMPUTERISED EBIC SYSTEM.
Autor: Wilshaw, P, a další
Vydáno: (1983) -
NEW RESULTS AND AN INTERPRETATION FOR SEM EBIC CONTRAST ARISING FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
Autor: Wilshaw, P, a další
Vydáno: (1985)