Weiter zum Inhalt
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Sprache
Alle Felder
Titel
Verfasser
Schlagwort
Signatur
ISBN/ISSN
Tag
Suchen
Erweitert
MEASUREMENT OF CONTRAST FROM I...
Zitieren
SMS versenden
Als E-Mail versenden
Drucken
Datensatz exportieren
Exportieren nach RefWorks
Exportieren nach EndNoteWeb
Exportieren nach EndNote
Persistenter Link
MEASUREMENT OF CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS BY LOCK-IN EBIC
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:
Ourmazd, A
,
Wilshaw, P
,
Cripps, R
Format:
Journal article
Veröffentlicht:
1982
Exemplare
Beschreibung
Ähnliche Einträge
Internformat
Ähnliche Einträge
TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
von: Ourmazd, A, et al.
Veröffentlicht: (1983)
THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON
von: Ourmazd, A, et al.
Veröffentlicht: (1983)
SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATIONS IN SILICON USING A COMPUTERIZED EBIC SYSTEM
von: Wilshaw, P, et al.
Veröffentlicht: (1983)
SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATION IN SILICON USING A COMPUTERISED EBIC SYSTEM.
von: Wilshaw, P, et al.
Veröffentlicht: (1983)
NEW RESULTS AND AN INTERPRETATION FOR SEM EBIC CONTRAST ARISING FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
von: Wilshaw, P, et al.
Veröffentlicht: (1985)