Saltar ao contenido
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Todos os campos
Title
Autor
Subject
Número de Clasificación
ISBN/ISSN
Tag
Buscar
Avanzado
MEASUREMENT OF CONTRAST FROM I...
Citar
Text this
Enviar este rexistro por email
Imprimir
Exportar rexistro
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Permanent link
MEASUREMENT OF CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS BY LOCK-IN EBIC
Detalles Bibliográficos
Main Authors:
Ourmazd, A
,
Wilshaw, P
,
Cripps, R
Formato:
Journal article
Publicado:
1982
Existencias
Descripción
Títulos similares
Staff View
Títulos similares
TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
por: Ourmazd, A, et al.
Publicado: (1983)
THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON
por: Ourmazd, A, et al.
Publicado: (1983)
SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATIONS IN SILICON USING A COMPUTERIZED EBIC SYSTEM
por: Wilshaw, P, et al.
Publicado: (1983)
SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATION IN SILICON USING A COMPUTERISED EBIC SYSTEM.
por: Wilshaw, P, et al.
Publicado: (1983)
NEW RESULTS AND AN INTERPRETATION FOR SEM EBIC CONTRAST ARISING FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
por: Wilshaw, P, et al.
Publicado: (1985)