Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
The effect of mismatch strain...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
The effect of mismatch strain on Stranski-Krastanow transition in epitaxial GexSi1-xSi(0 0 1) gas-source growth
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Format:
Conference item
Publicat:
1999
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Descripció
Sumari:
Ítems similars
Reduction of dislocation mobility in GexSi1-x epilayers
per: Jurkschat, K, et al.
Publicat: (1996)
The effect of ion-implantation induced defects on strain relaxation in GexSi1-x/Si heterostructures
per: Glasko, J, et al.
Publicat: (1997)
A mechanism for "double half dislocation loops" nucleation in low misfit epitaxial GeXSi1-X on Si
per: Hirsch, P
Publicat: (1997)
The effect of irradiation temperature on post-irradiation strain levels in GexSi1-x/Si strained layer heterostructures
per: Glasko, J, et al.
Publicat: (1996)
Ultra-steep side facets in multi-faceted SiGe/Si(001) Stranski-Krastanow islands
per: Brehm Moritz, et al.
Publicat: (2011-01-01)