Neidio i'r cynnwys
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Iaith
Pob Maes
Teitl
Awdur
Pwnc
Rhif Galw
ISBN/ISSN
Tag
Canfod
Uwch
The effect of mismatch strain...
Dyfynnu hwn
Anfonwch hwn fel neges destun
E-bostio hwn
Argraffu
Allforio Cofnod
Allforio i RefWorks
Allforio i EndNoteWeb
Allforio i EndNote
Permanent link
The effect of mismatch strain on Stranski-Krastanow transition in epitaxial GexSi1-xSi(0 0 1) gas-source growth
Manylion Llyfryddiaeth
Prif Awduron:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Fformat:
Conference item
Cyhoeddwyd:
1999
Daliadau
Disgrifiad
Eitemau Tebyg
Dangos Staff
Disgrifiad
Crynodeb:
Eitemau Tebyg
Reduction of dislocation mobility in GexSi1-x epilayers
gan: Jurkschat, K, et al.
Cyhoeddwyd: (1996)
The effect of ion-implantation induced defects on strain relaxation in GexSi1-x/Si heterostructures
gan: Glasko, J, et al.
Cyhoeddwyd: (1997)
A mechanism for "double half dislocation loops" nucleation in low misfit epitaxial GeXSi1-X on Si
gan: Hirsch, P
Cyhoeddwyd: (1997)
The effect of irradiation temperature on post-irradiation strain levels in GexSi1-x/Si strained layer heterostructures
gan: Glasko, J, et al.
Cyhoeddwyd: (1996)
Ultra-steep side facets in multi-faceted SiGe/Si(001) Stranski-Krastanow islands
gan: Brehm Moritz, et al.
Cyhoeddwyd: (2011-01-01)