Joan edukira
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Hizkuntza
Eremu guztiak
Izenburua
Egilea
Gaia
Sailkapena
ISBN/ISSN
Etiketa
Bilatu
Aurreratua
The effect of mismatch strain...
Erreferentzia bihurtu
SMS
Bidali
Imprimir
Erregistroa esportatu
Nora RefWorks
Nora EndNoteWeb
Nora EndNote
Permanent link
The effect of mismatch strain on Stranski-Krastanow transition in epitaxial GexSi1-xSi(0 0 1) gas-source growth
Xehetasun bibliografikoak
Egile Nagusiak:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Formatua:
Conference item
Argitaratua:
1999
Aleari buruzko argibideak
Deskribapena
Antzeko izenburuak
MARC erregistroa
Deskribapena
Gaia:
Antzeko izenburuak
Reduction of dislocation mobility in GexSi1-x epilayers
nork: Jurkschat, K, et al.
Argitaratua: (1996)
The effect of ion-implantation induced defects on strain relaxation in GexSi1-x/Si heterostructures
nork: Glasko, J, et al.
Argitaratua: (1997)
A mechanism for "double half dislocation loops" nucleation in low misfit epitaxial GeXSi1-X on Si
nork: Hirsch, P
Argitaratua: (1997)
The effect of irradiation temperature on post-irradiation strain levels in GexSi1-x/Si strained layer heterostructures
nork: Glasko, J, et al.
Argitaratua: (1996)
Ultra-steep side facets in multi-faceted SiGe/Si(001) Stranski-Krastanow islands
nork: Brehm Moritz, et al.
Argitaratua: (2011-01-01)