Léim chuig an ábhar
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Teanga
Gach réimse
Teideal
Údar
Ábhar
Gairmuimhir
ISBN/ISSN
Clib
AIMSIGH
CASTA
The effect of mismatch strain...
Luaigh é seo
Seol mar théacs é seo
Seol é seo mar r-phost
Priontáil
Easpórtáil taifead
Easpórtáil chuig RefWorks
Easpórtáil chuig EndNoteWeb
Easpórtáil chuig EndNote
Buan-nasc
The effect of mismatch strain on Stranski-Krastanow transition in epitaxial GexSi1-xSi(0 0 1) gas-source growth
Sonraí bibleagrafaíochta
Príomhchruthaitheoirí:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Formáid:
Conference item
Foilsithe / Cruthaithe:
1999
Stoc
Cur síos
Míreanna comhchosúla
Amharc foirne
Cur síos
Achoimre:
Míreanna comhchosúla
Reduction of dislocation mobility in GexSi1-x epilayers
de réir: Jurkschat, K, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1996)
The effect of ion-implantation induced defects on strain relaxation in GexSi1-x/Si heterostructures
de réir: Glasko, J, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1997)
A mechanism for "double half dislocation loops" nucleation in low misfit epitaxial GeXSi1-X on Si
de réir: Hirsch, P
Foilsithe / Cruthaithe: (1997)
The effect of irradiation temperature on post-irradiation strain levels in GexSi1-x/Si strained layer heterostructures
de réir: Glasko, J, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1996)
Ultra-steep side facets in multi-faceted SiGe/Si(001) Stranski-Krastanow islands
de réir: Brehm Moritz, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (2011-01-01)