Preskoči na sadržaj
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jezik
Sva polja
Naslov
Autor
Tema
Signatura
ISBN/ISSN
Oznaka
Pronađi
Napredno
The effect of mismatch strain...
Citiraj ovo
Pošalji tekstualnu poruku
Pošalji ovo e-mailom
Ispiši
Izvezi zapis
Izvezi u RefWorks
Izvezi u EndNoteWeb
Izvezi u EndNote
Stalna poveznica
The effect of mismatch strain on Stranski-Krastanow transition in epitaxial GexSi1-xSi(0 0 1) gas-source growth
Bibliografski detalji
Glavni autori:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Format:
Conference item
Izdano:
1999
Primjerci
Opis
Slični predmeti
Prikaz za djelatnike knjižnice
Opis
Sažetak:
Slični predmeti
Reduction of dislocation mobility in GexSi1-x epilayers
od: Jurkschat, K, i dr.
Izdano: (1996)
The effect of ion-implantation induced defects on strain relaxation in GexSi1-x/Si heterostructures
od: Glasko, J, i dr.
Izdano: (1997)
A mechanism for "double half dislocation loops" nucleation in low misfit epitaxial GeXSi1-X on Si
od: Hirsch, P
Izdano: (1997)
The effect of irradiation temperature on post-irradiation strain levels in GexSi1-x/Si strained layer heterostructures
od: Glasko, J, i dr.
Izdano: (1996)
Ultra-steep side facets in multi-faceted SiGe/Si(001) Stranski-Krastanow islands
od: Brehm Moritz, i dr.
Izdano: (2011-01-01)