Salta al contenuto
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Lingua
Tutti i Campi
Titolo
Autore
Soggetto
Collocazione
ISBN/ISSN
Tag
Cerca
Avanzata
The effect of mismatch strain...
Citazione
Invia SMS
Invia email
Stampa
Esporta il record
Esporta a RefWorks
Esporta a EndNoteWeb
Esporta a EndNote
PLink permanente
The effect of mismatch strain on Stranski-Krastanow transition in epitaxial GexSi1-xSi(0 0 1) gas-source growth
Dettagli Bibliografici
Autori principali:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Natura:
Conference item
Pubblicazione:
1999
Posseduto
Descrizione
Documenti analoghi
MARC21
Descrizione
Riassunto:
Documenti analoghi
Reduction of dislocation mobility in GexSi1-x epilayers
di: Jurkschat, K, et al.
Pubblicazione: (1996)
The effect of ion-implantation induced defects on strain relaxation in GexSi1-x/Si heterostructures
di: Glasko, J, et al.
Pubblicazione: (1997)
A mechanism for "double half dislocation loops" nucleation in low misfit epitaxial GeXSi1-X on Si
di: Hirsch, P
Pubblicazione: (1997)
The effect of irradiation temperature on post-irradiation strain levels in GexSi1-x/Si strained layer heterostructures
di: Glasko, J, et al.
Pubblicazione: (1996)
Ultra-steep side facets in multi-faceted SiGe/Si(001) Stranski-Krastanow islands
di: Brehm Moritz, et al.
Pubblicazione: (2011-01-01)