Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
The effect of mismatch strain...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
The effect of mismatch strain on Stranski-Krastanow transition in epitaxial GexSi1-xSi(0 0 1) gas-source growth
Opis bibliograficzny
Główni autorzy:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Format:
Conference item
Wydane:
1999
Egzemplarz
Opis
Podobne zapisy
Wersja MARC
Opis
Streszczenie:
Podobne zapisy
Reduction of dislocation mobility in GexSi1-x epilayers
od: Jurkschat, K, i wsp.
Wydane: (1996)
The effect of ion-implantation induced defects on strain relaxation in GexSi1-x/Si heterostructures
od: Glasko, J, i wsp.
Wydane: (1997)
A mechanism for "double half dislocation loops" nucleation in low misfit epitaxial GeXSi1-X on Si
od: Hirsch, P
Wydane: (1997)
The effect of irradiation temperature on post-irradiation strain levels in GexSi1-x/Si strained layer heterostructures
od: Glasko, J, i wsp.
Wydane: (1996)
Ultra-steep side facets in multi-faceted SiGe/Si(001) Stranski-Krastanow islands
od: Brehm Moritz, i wsp.
Wydane: (2011-01-01)