Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
The effect of mismatch strain...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
The effect of mismatch strain on Stranski-Krastanow transition in epitaxial GexSi1-xSi(0 0 1) gas-source growth
Библиографические подробности
Главные авторы:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Формат:
Conference item
Опубликовано:
1999
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Описание
Итог:
Схожие документы
Reduction of dislocation mobility in GexSi1-x epilayers
по: Jurkschat, K, и др.
Опубликовано: (1996)
The effect of ion-implantation induced defects on strain relaxation in GexSi1-x/Si heterostructures
по: Glasko, J, и др.
Опубликовано: (1997)
A mechanism for "double half dislocation loops" nucleation in low misfit epitaxial GeXSi1-X on Si
по: Hirsch, P
Опубликовано: (1997)
The effect of irradiation temperature on post-irradiation strain levels in GexSi1-x/Si strained layer heterostructures
по: Glasko, J, и др.
Опубликовано: (1996)
Ultra-steep side facets in multi-faceted SiGe/Si(001) Stranski-Krastanow islands
по: Brehm Moritz, и др.
Опубликовано: (2011-01-01)