Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
The effect of mismatch strain...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
Allfudo'n Llwyddiannus —
The effect of mismatch strain on Stranski-Krastanow transition in epitaxial GexSi1-xSi(0 0 1) gas-source growth
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Médium:
Conference item
Vydáno:
1999
Jednotky
Popis
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Podobné jednotky
Reduction of dislocation mobility in GexSi1-x epilayers
Autor: Jurkschat, K, a další
Vydáno: (1996)
The effect of ion-implantation induced defects on strain relaxation in GexSi1-x/Si heterostructures
Autor: Glasko, J, a další
Vydáno: (1997)
A mechanism for "double half dislocation loops" nucleation in low misfit epitaxial GeXSi1-X on Si
Autor: Hirsch, P
Vydáno: (1997)
The effect of irradiation temperature on post-irradiation strain levels in GexSi1-x/Si strained layer heterostructures
Autor: Glasko, J, a další
Vydáno: (1996)
Ultra-steep side facets in multi-faceted SiGe/Si(001) Stranski-Krastanow islands
Autor: Brehm Moritz, a další
Vydáno: (2011-01-01)