Time-resolved gain dynamics in InGaN MQWs using a Kerr gate

Time-resolved gain dynamics in InGaN MQWs using a Kerr gate

Hiển thị phiên bản (1) khác

The Kerr gate technique is used to time-resolve the gain in an In0.02Ga0.98N/In0.16Ga0.84N multiple quantum well sample. A new way of analyzing the data in such a variable stripe length method gain experiment is used to analyze the time-resolved spectra. The dynamics of the emission and gain are dis...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Taylor, R, Smith, J, Rice, J, Ryan, J, Someya, T, Arakawa, Y
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	2003

Những quyển sách tương tự

Time-resolved gain dynamics in InGaN MQWs using a Kerr gate
Bằng: Taylor, R, et al.
Được phát hành: (2003)

Dynamics and gain in highly-excited InGaN MQWs
Bằng: Taylor, R, et al.
Được phát hành: (2002)

Dynamics and gain in highly-excited InGaN MQWs
Bằng: Taylor, R, et al.
Được phát hành: (2002)

Time-resolved gain saturation dynamics in InGaN multi-quantum well structures
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2004)

Time-resolved gain saturation dynamics in InGaN multi-quantum well structures
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2004)

Time-resolved gain dynamics in InGaN MQW structures
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2005)

Characterization and fabrication of InGaN/GaN MQWs and LEDs on macroporous Si substrate
Bằng: Dang, Dominic Thor Weng
Được phát hành: (2011)

Efficiency enhancement of InGaN amber MQWs using nanopillar structures
Bằng: Ou Yiyu, et al.
Được phát hành: (2018-01-01)

Time-resolved dynamics in single InGaN quantum dots
Bằng: Robinson, J, et al.
Được phát hành: (2003)

Time-resolved photoluminescence from hot two-dimensional carriers in GaAsGaAlAs MQWS
Bằng: Ryan, J, et al.
Được phát hành: (1986)

Identification of the Kirkendall effect as a mechanism responsible for thermal decomposition of the InGaN/GaN MQWs system
Bằng: Roman Hrytsak, et al.
Được phát hành: (2022-01-01)

Time-resolved dynamics in single InGaN quantum dots
Bằng: Taylor, R, et al.
Được phát hành: (2005)

Time-integrated and time-resolved photoluminescence studies of InGaN quantum dots
Bằng: Robinson, J, et al.
Được phát hành: (2004)

Mechanism of V‑Shaped Pits on Promoting Hole Injection in the InGaN MQWs: First-Principles Investigation
Bằng: Qingqing Feng, et al.
Được phát hành: (2024-01-01)

Dynamics of single InGaN quantum dots
Bằng: Taylor, R, et al.
Được phát hành: (2004)

INTENSITY CORRELATION-MEASUREMENT OF TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE FROM GAAS MQWS
Bằng: Eakin, H, et al.
Được phát hành: (1988)

TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE FROM HOT TWO-DIMENSIONAL CARRIERS IN GAAS-GAALAS MQWS
Bằng: Ryan, J, et al.
Được phát hành: (1986)

Biexciton and exciton dynamics in single InGaN quantum dots
Bằng: Rice, J, et al.
Được phát hành: (2005)

Saturation of gain in In0.02Ga0.98N/In0.16Ga0.84N MQW plasmas
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2002)

Saturation of gain in In0.02Ga0.98N/In0.16Ga0.84N MQW plasmas
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2002)

Luminescence properties of isolated InGaN/GaN quantum dots
Bằng: Martin, R, et al.
Được phát hành: (2005)

Fabrication of High Efficiency Green InGaN/GaN MicroLEDs by Modulating Potential Barrier Height of the Sidewall MQWs in V-Pits
Bằng: Hsin-Yu Liu, et al.
Được phát hành: (2024-01-01)

Analysis of gain saturation in In0.02Ga0.98N/In0.16Ga0.84N multiple quantum wells
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2001)

Analysis of gain saturation in In0.02Ga0.98N/In0.16Ga0.84N multiple quantum wells
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2001)

Optical Gain and Laser Characteristics of InGaN Quantum Wells on Ternary InGaN Substrates
Bằng: Jing Zhang, et al.
Được phát hành: (2013-01-01)

TIME-RESOLVED EXCITON PHOTOLUMINESCENCE IN GaSe AND GaTe.
Bằng: Taylor, R, et al.
Được phát hành: (1987)

Advantages of InGaN–GaN–InGaN Delta Barriers for InGaN-Based Laser Diodes
Bằng: Liwen Cheng, et al.
Được phát hành: (2021-08-01)

Quantum dot emission from site-controlled InGaN/GaN micropyramid arrays
Bằng: Edwards, P, et al.
Được phát hành: (2004)

Gain characteristics of InGaN quantum wells with AlGaInN barriers
Bằng: Hanlin Fu, et al.
Được phát hành: (2019-04-01)

Time-resolved bandgap renormalization and gain in GaN epilayers
Bằng: Hess, S, et al.
Được phát hành: (1998)

Growth of InGaN quantum dots on GaN by MOVPE, employing a growth temperature nitrogen anneal
Bằng: Oliver, R, et al.
Được phát hành: (2003)

Time-integrated and time-resolved optical studies of InGaN quantum dots
Bằng: Robinson, J, et al.
Được phát hành: (2005)

Quantum dot emission from selectively-grown InGaN/GaN micropyramid arrays
Bằng: Taylor, R, et al.
Được phát hành: (2005)

Thermoelectric properties of In-rich InGaN and InN/InGaN superlattices
Bằng: James (Zi-Jian) Ju, et al.
Được phát hành: (2016-04-01)

On the mechanisms of InGaN electron cooler in InGaN/GaN light-emitting diodes
Bằng: Zhang, Xueliang, et al.
Được phát hành: (2014)

Photoluminescence studies of exciton recombination and dephasing in single InGaN quantum dots
Bằng: Rice, J, et al.
Được phát hành: (2004)

Sub-wavelength Al mask apertures for addressing individual InGaN quantum dots
Bằng: Yasin, S, et al.
Được phát hành: (2004)

Temporal variation in photoluminescence from single InGaN quantum dots
Bằng: Rice, J, et al.
Được phát hành: (2004)

Graded InGaN Buffers for Strain Relaxation in GaN/InGaN Epilayers Grown on sapphire
Bằng: Chua, Soo-Jin, et al.
Được phát hành: (2003)

Graded InGaN Buffers for Strain Relaxation in GaN/InGaN Epliayers Grown on Sapphire
Bằng: Song, T.L., et al.
Được phát hành: (2003)