Broadband single-nanowire photoconductive Terahertz detectors
Broadband photoconductive terahertz detectors based on undoped InP single nanowires were demonstrated. By further design and growth of an axial n+-i-n+ structure to reduce the contact resistance, highly-sensitive n+-i-n+ InP single-nanowire terahertz detectors were achieved.
প্রধান লেখক: | Peng, K, Parkinson, P, Gao, Q, Boland, JL, Li, Z, Wang, F, Wenas, YC, Davies, CL, Fu, L, Johnston, MB, Tan, HH, Jagadish, C, Ieee |
---|---|
বিন্যাস: | Conference item |
প্রকাশিত: |
Optical Society of America
2017
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Broadband Phase-Sensitive Single InP Nanowire Photoconductive Terahertz Detectors
অনুযায়ী: Peng, K, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2016) -
Single Nanowire Photoconductive Terahertz Detectors.
অনুযায়ী: Peng, K, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2014) -
Distinguishing cap and core contributions to the photoconductive terahertz response of single GaAs based core–shell–cap nanowire detectors
অনুযায়ী: Peng, K, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2018) -
Photoconductive response correction for detectors of terahertz radiation
অনুযায়ী: Castro-Camus, E, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2008) -
Modulation of terahertz polarization on picosecond timescales using polymer-encapsulated semiconductor nanowires
অনুযায়ী: Baig, SA, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017)