Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
SEMICONDUCTOR SURFACE ETCHING...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
SEMICONDUCTOR SURFACE ETCHING BY HALOGENS - FUNDAMENTAL STEPS
Показать другие версии (1)
Библиографические подробности
Главные авторы:
Jackman, R
,
Price, R
,
Foord, J
Формат:
Journal article
Опубликовано:
1989
Фонды
Описание
Другие версии (1)
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
Semiconductor surface etching by halogens: Fundamental steps
по: Jackman, R, и др.
Опубликовано: (1989)
REACTION-MECHANISMS FOR THE PHOTON-ENHANCED ETCHING OF SEMICONDUCTORS - AN INVESTIGATION OF THE UV-STIMULATED INTERACTION OF CHLORINE WITH SI(100)
по: Jackman, R, и др.
Опубликовано: (1986)
THERMAL AND ION-BEAM-INDUCED ETCHING OF INP WITH CHLORINE
по: Murrell, A, и др.
Опубликовано: (1989)
Thermal and ion-beam-induced etching of InP with chlorine
по: Murrell, A, и др.
Опубликовано: (1989)
HALOGEN ADSORPTION AND HALOGEN-INDUCED SURFACE PHASE-TRANSITIONS ON CR(110)
по: Foord, J, и др.
Опубликовано: (1987)