III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications

III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications

Näytä muut versiot (2)

Semiconductor nanowires have recently emerged as a new class of materials with significant potential to reveal new fundamental physics and to propel new applications in quantum electronic and optoelectronic devices. Semiconductor nanowires show exceptional promise as nanostructured materials for exp...

Bibliografiset tiedot
Päätekijät:	Joyce, H, Gao, Q, Hoe Tan, H, Jagadish, C, Kim, Y, Zou, J, Smith, L, Jackson, H, Yarrison-Rice, J, Parkinson, P, Johnston, M
Aineistotyyppi:	Journal article
Kieli:	English
Julkaistu:	2011

Samankaltaisia teoksia

III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2011)

III-V compound semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
Tekijä: Gao, Q, et al.
Julkaistu: (2011)

Epitaxy of III-V semiconductor nanowires towards optoelectronic devices
Tekijä: Gao, Q, et al.
Julkaistu: (2009)

Compound semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
Tekijä: Gao, Q, et al.
Julkaistu: (2011)

III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
Tekijä: Mokkapati, S, et al.
Julkaistu: (2013)

Nanowires for optoelectronic device applications
Tekijä: Gao, Q, et al.
Julkaistu: (2009)

III-V compound semiconductor nanowires
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2009)

III-V nanowires for optoelectronic applications
Tekijä: Tan, H, et al.
Julkaistu: (2012)

III-V nanowires for optoelectronic applications
Tekijä: Tan, H, et al.
Julkaistu: (2013)

III-V compound semiconductor nanowires
Tekijä: Paiman, S, et al.
Julkaistu: (2009)

Quantum dots and nanowires for optoelectronic device applications
Tekijä: Gao, Q, et al.
Julkaistu: (2006)

Growth, structural and optical properties of III-V nanowires for optoelectronic applications
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2007)

Unexpected benefits of rapid growth rate for III-V nanowires.
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2009)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs nanowires for optoelectronic device applications
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2011)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs Nanowires for Optoelectronic Device Applications
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2011)

An ultrafast switchable terahertz polarization modulator based on III--V semiconductor nanowires
Tekijä: Baig, S, et al.
Julkaistu: (2017)

Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector
Tekijä: Wang, H, et al.
Julkaistu: (2012)

Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
Tekijä: Jackson, H, et al.
Julkaistu: (2008)

Ultrafast dynamics of exciton formation in semiconductor nanowires.
Tekijä: Yong, C, et al.
Julkaistu: (2012)

MOCVD-grown indium phosphide nanowires for optoelectronics
Tekijä: Paiman, Suriati, et al.
Julkaistu: (2014)

Growth, structural and optical properties of high quality gaAs nanowires for optoelectronics
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2008)

Engineering III-V nanowires for optoelectronics: from epitaxy to terahertz photonics
Tekijä: Joyce, HJ, et al.
Julkaistu: (2018)

Polarization tunable, multicolor emission from core-shell photonic III-V semiconductor nanowires.
Tekijä: Mokkapati, S, et al.
Julkaistu: (2012)

Direct-write non-linear photolithography for semiconductor nanowire characterization.
Tekijä: Parkinson, P, et al.
Julkaistu: (2012)

Nearly intrinsic exciton lifetimes in single twin-free GaAs/AlGaAs core-shell nanowire heterostructures
Tekijä: Perera, S, et al.
Julkaistu: (2008)

Temperature dependence of photoluminescence from single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires
Tekijä: Titova, L, et al.
Julkaistu: (2006)

High Purity GaAs Nanowires Free of Planar Defects: Growth and Characterization
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2008)

Dynamics of strongly degenerate electron-hole plasmas and excitons in single InP nanowires.
Tekijä: Titova, L, et al.
Julkaistu: (2007)

Polarization and temperature dependence of photoluminescence from zincblende and wurtzite InP nanowires
Tekijä: Mishra, A, et al.
Julkaistu: (2007)

Novel growth and properties of GaAs nanowires on Si substrates.
Tekijä: Kang, J, et al.
Julkaistu: (2010)

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
Tekijä: Kang, J, et al.
Julkaistu: (2011)

Improvement of morphology, structure, and optical properties of GaAs nanowires grown on Si substrates
Tekijä: Kang, J, et al.
Julkaistu: (2010)

Growth of III-V nanowires and nanowire heterostructures by metalorganic chemical vapor deposition
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2007)

Non-linear direct-laser-write lithography for semiconductor nanowire characterisation
Tekijä: Parkinson, P, et al.
Julkaistu: (2012)

Resonant excitation and imaging of nonequilibrium exciton spins in single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires.
Tekijä: Hoang, T, et al.
Julkaistu: (2007)

Spatially-resolved photoluminescence imaging of CdS and GaAs/AlGaAs nanowires
Tekijä: Smith, L, et al.
Julkaistu: (2007)

Structural and optical characterization of vertical GaAs/GaP core-shell nanowires grown on Si substrates
Tekijä: Kang, J, et al.
Julkaistu: (2010)

Optoelectronic properties of semiconductor nanowires in the infrared regime
Tekijä: Sterzl, S
Julkaistu: (2020)

Structural and optical properties of III-V nanowires and nanowire heterostructures grown by metalorganic chemical vapour deposition
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2007)

Measuring the electrical properties of semiconductor nanowires using terahertz conductivity spectroscopy
Tekijä: Joyce, H, et al.
Julkaistu: (2013)