III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
Semiconductor nanowires have recently emerged as a new class of materials with significant potential to reveal new fundamental physics and to propel new applications in quantum electronic and optoelectronic devices. Semiconductor nanowires show exceptional promise as nanostructured materials for exp...
Автори: | Joyce, H, Gao, Q, Hoe Tan, H, Jagadish, C, Kim, Y, Zou, J, Smith, L, Jackson, H, Yarrison-Rice, J, Parkinson, P, Johnston, M |
---|---|
Формат: | Journal article |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2011
|
Схожі ресурси
-
III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2011) -
III-V compound semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
за авторством: Gao, Q, та інші
Опубліковано: (2011) -
Epitaxy of III-V semiconductor nanowires towards optoelectronic devices
за авторством: Gao, Q, та інші
Опубліковано: (2009) -
Compound semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
за авторством: Gao, Q, та інші
Опубліковано: (2011) -
III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
за авторством: Mokkapati, S, та інші
Опубліковано: (2013)