A plasmonically enhanced route to faster and more energy-efficient phase-change integrated photonic memory and computing devices
Over the past 30 years or more, chalcogenide phase-change materials and devices have generated much scientific and industrial interest, particularly as a platform for non-volatile optical and electronic storage devices. More recently, the combination of chalcogenide phase-change materials with photo...
Հիմնական հեղինակներ: | Gemo, E, Faneca, J, G.-C. Carrillo, S, Baldycheva, A, Pernice, WHP, Bhaskaran, H, Wright, CD |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
AIP Publishing
2021
|
Նմանատիպ նյութեր
-
Performance characteristics of phase-change integrated silicon nitride photonic devices in the O and C telecommunications bands
: Faneca, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2020) -
Plasmonically-enhanced all-optical integrated phase-change memory
: Gemo, E, և այլն
Հրապարակվել է: (2019) -
Experimental investigation of silicon and silicon nitride platforms for phase change photonic in-memory computing
: Li, X, և այլն
Հրապարակվել է: (2020) -
Chalcogenide phase-change devices for neuromorphic photonic computing
: Brueckerhoff-Plueckelmann, F, և այլն
Հրապարակվել է: (2021) -
Integrated 256 cell photonic phase-change memory with 512-bit capacity
: Feldmann, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2019)