Saturation of gain in In0.02Ga0.98N/In0.16Ga0.84N MQW plasmas

Saturation of gain in In0.02Ga0.98N/In0.16Ga0.84N MQW plasmas

Hiển thị phiên bản (1) khác

A new way of analysing the data in a variable stripe length method gain experiment is presented. The stripe length dependence of the gain is measured in In0.02Ga0.98N/In0.16Ga0.84N multiple quantum wells (MQWs). We confirm that this arises from the change of the chemical potential along the excited...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Kyhm, K, Taylor, R, Ryan, J, Someya, T, Arakawa, Y
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	2002

Những quyển sách tương tự

Saturation of gain in In0.02Ga0.98N/In0.16Ga0.84N MQW plasmas
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2002)

Analysis of gain saturation in In0.02Ga0.98N/In0.16Ga0.84N multiple quantum wells
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2001)

Analysis of gain saturation in In0.02Ga0.98N/In0.16Ga0.84N multiple quantum wells
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2001)

Optoelectronic properties comparison of 10 and 20 multi quantum wells Ga0.952In0.048N0.016As0.984/GaAs p-i-n photodetector for 1.0 µm wavelength
Bằng: Megat Muhammad Ikhsan Megat Hasnan, et al.
Được phát hành: (2022)

Optoelectronic properties comparison of 10 and 20 multi quantum wells Ga0.952In0.048N0.016As0.984/GaAs p-i-n photodetector for 1.0 μm wavelength
Bằng: Megat Hasnan, M. M. I., et al.
Được phát hành: (2022)

Time-resolved gain dynamics in InGaN MQW structures
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2005)

Magnetic properties of nanostructured MuMetal (Ni0.77Fe0.16Cu0.05Cr0.02)
Bằng: Poh, Choon Sian.
Được phát hành: (2010)

Understanding the structural and magnetic properties of Ni0.77Fe0.16Cu0.05Cr0.02 by mechanical alloying
Bằng: Sim, Wenchao.
Được phát hành: (2009)

Electrical properties of textured (KNa)0.44Li0.06Nb0.84Sb0.06Ta0.1O3 thick films
Bằng: Fu, Fang, et al.
Được phát hành: (2013)

Strain effect in a GaAs-In0.25Ga0.75As-Al0.5Ga0.5As asymmetric quantum wire
Bằng: Fu, Y, et al.
Được phát hành: (2000)

Landau assisted vertical transport in MQW p-i-n GaAs/AlGaAs diodes
Bằng: Stone, R, et al.
Được phát hành: (1996)

Different temperature and pressure behavior of band edge and N-cluster emissions in GaAs0.973Sb0.022N0.005
Bằng: Ding, K., et al.
Được phát hành: (2013)

Photoluminescence studies of In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots
Bằng: Wahab, Yussof, et al.
Được phát hành: (2006)

Photoluminescence Studies of In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots
Bằng: Wahab, Yussof, et al.
Được phát hành: (2006)

Al0.15Ga0.85N/GaN Heterostructure Field Effect Transistors (HFET)Device Structure Optimization And Thermal Effects.
Bằng: Thahab, S M, et al.
Được phát hành: (2007)

LiFePO4 modified Li1.02(Co0.9Fe0.1)0.98PO4 cathodes with improved lithium storage properties
Bằng: Aravindan, Vanchiappan, et al.
Được phát hành: (2014)

Dynamics and gain in highly-excited InGaN MQWs
Bằng: Taylor, R, et al.
Được phát hành: (2002)

Dynamics and gain in highly-excited InGaN MQWs
Bằng: Taylor, R, et al.
Được phát hành: (2002)

Time-resolved gain saturation dynamics in InGaN multi-quantum well structures
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2004)

Time-resolved gain saturation dynamics in InGaN multi-quantum well structures
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2004)

Lomer-Cottrell misfit dislocations in [001]In0.2Ga0.8As/GaAs single heterostructures
Bằng: Zou, J, et al.
Được phát hành: (1996)

Temperature-dependent generation of misfit dislocations in In0.2Ga0.8As/GaAs single heterostructures
Bằng: Zou, J, et al.
Được phát hành: (1996)

Magneto-luminescence of quasi-zero dimensional In0.25Ga0.75As/GaAs quantum dots
Bằng: Cheng, H, et al.
Được phát hành: (1998)

MAGNETOTRANSPORT IN A PSEUDOMORPHIC GAAS/GA0.8IN0.2AS/GA0.75AL0.25AS HETEROSTRUCTURE WITH A SI DELTA-DOPING LAYER
Bằng: Vanderburgt, M, et al.
Được phát hành: (1995)

Sr(3)Co(2)O(4.33)h(0.84): an extended transition metal oxide-hydride.
Bằng: Helps, R, et al.
Được phát hành: (2010)

Impact of 〈110〉 uniaxial strain on n-channel In0.15Ga0.85As high electron mobility transistors
Bằng: del Alamo, Jesus A., et al.
Được phát hành: (2010)

Impact of 110 uniaxial strain on n-channel In0.15Ga0.85As high electron mobility transistors
Bằng: Xia, Ling, et al.
Được phát hành: (2012)

Cuma 0.02 peratus bersuara!
Bằng: Shakil Hameed, Noor Mohamad
Được phát hành: (2020)

INTER-BAND MAGNETOABSORPTION IN A GA0.47IN0.53AS-AL0.48IN0.52AS QUANTUM-WELL
Bằng: Rogers, D, et al.
Được phát hành: (1986)

High hole mobility in strained In 0.25 Ga 0.75 Sb quantum well with high quality Al 0.95 Ga 0.05 Sb buffer layer
Bằng: Roh, IlPyo, et al.
Được phát hành: (2021)

PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY IN GA0.49IN0.51P/GAAS HETEROJUNCTIONS
Bằng: Benamor, S, et al.
Được phát hành: (1989)

SHALLOW DONOR SPECTROSCOPY AND POLARON COUPLING IN GA0.47IN0.53AS
Bằng: Nicholas, R, et al.
Được phát hành: (1985)

FREQUENCY-SHIFTED POLARON COUPLING IN GA0.47IN0.53AS HETEROJUNCTIONS
Bằng: Nicholas, R, et al.
Được phát hành: (1985)

HiZELS: a high redshift survey of H-alpha emitters. II: the nature of star-forming galaxies at z=0.84
Bằng: Sobral, D, et al.
Được phát hành: (2009)

IN0.2GA0.8AS/GAAS INTERFACE REVEALED BY AN ALAS MARKER LAYER
Bằng: Glaisher, R, et al.
Được phát hành: (1993)

ELECTRON-OPTIC PHONON COUPLING IN GA0.47IN0.53AS BASED HETEROSTRUCTURES
Bằng: Nicholas, R, et al.
Được phát hành: (1986)

QUANTUM OSCILLATIONS AT A GA0.47IN0.53AS-INP HETEROJUNCTION INTERFACE
Bằng: Nicholas, R, et al.
Được phát hành: (1982)

Observation of strain distributions in partially relaxed In0.2Ga0.8As on GaAs using electron channelling contrast imaging
Bằng: Wilkinson, A
Được phát hành: (1996)

Optical transition in infrared photodetector based on V-groove Al0.5Ga0.5As/GaAs multiple quantum wire
Bằng: Fu, Y, et al.
Được phát hành: (2001)

PRESSURE-DEPENDENCE STUDY OF THE EFFECTIVE MASS IN GA0.47IN0.53AS/INP HETEROJUNCTIONS
Bằng: Gauthier, D, et al.
Được phát hành: (1988)