Siirry sisältöön
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Kieli
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
Aihe
Hyllypaikka
ISBN/ISSN
Tagi
Hae
Tarkennettu
Band gap dependent thermophoto...
Sitaatti
Tekstiviesti
Lähetä sähköpostilla
Tulosta
Vie tietue
Vienti: RefWorks
Vienti: EndNoteWeb
Vienti: EndNote
Pysyvä linkki
Band gap dependent thermophotovoltaic device performance using the InGaAs and InGaAsP material system
Bibliografiset tiedot
Päätekijät:
Tuley, R
,
Nicholas, R
Aineistotyyppi:
Journal article
Julkaistu:
2010
Saatavuustiedot
Kuvaus
Samankaltaisia teoksia
Henkilökuntanäyttö
Samankaltaisia teoksia
Implementation and study of photovoltaic cells based on InP lattice-matched InGaAs and InGaAsP
Tekijä: Emziane, M, et al.
Julkaistu: (2007)
Selective area epitaxy of InGaAs/InGaAsP quantum wells studied by magnetotransport
Tekijä: Martin, R, et al.
Julkaistu: (1996)
Study of quantum phenomena in intermixed GaAs/AlGaAs and InGaAs/InGaAsP quantum well structures
Tekijä: Au Yeung, Tin Cheung.
Julkaistu: (2008)
Lattice-matched InGaAs on InP thermophovoltaic cells
Tekijä: Tuley, R, et al.
Julkaistu: (2013)
Investigation of InGaAsP-based solar cells for double-junction photovoltaic devices
Tekijä: Emziane, A, et al.
Julkaistu: (2008)